发布时间:2025-06-18 阅读量:222 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】近期全球DRAM市场经历剧烈波动,DDR4现货价格出现近十年最大涨幅。2025年6月13日,DDR4 8Gb(512M×16)单日暴涨7.99%,16Gb(1G×16)涨幅达7.9%;截至6月17日,DDR4 16Gb现货价再涨6.32%至9.25美元,4Gb规格更单日飙涨8.77%。近三个交易日累计涨幅突破20%,二季度以来部分规格涨幅超130%。这一异常波动直接触发产业链抢货潮,深圳华强北经销商反馈“每日报价跳涨,现货一票难求”。
一、涨价动因:供给收缩与需求刚性双重挤压
1. 国际大厂全面退出DDR4产能
三星SK海力士美光三大原厂加速向DDR5/HBM转产:三星已停止接收DDR4新订单,2025年底全面停产;SK海力士将DDR4产能压缩至20%;美光停止服务器旧版DDR4供应。TrendForce数据显示,2025年Q1 DDR4占全球DRAM产量比重降至35%,较2023年下降20个百分点。
2. 需求端呈现结构性刚性
工控汽车电子等领域因设备认证周期长系统兼容要求高,80%-90%需求仍锚定DDR4。东芯股份指出:“DDR5对部分应用容量过剩,DDR3又无法满足性能需求,DDR4仍是不可替代的选择”。与此同时,美国对华半导体关税宽限期(2025年7月截止)触发提前备货,进一步加剧短期需求。
二、市场异象:价格倒挂与恐慌性采购
1. 历史性价格倒挂形成
6月现货市场出现DDR4报价反超DDR5的罕见现象:16Gb DDR4均价达9.25美元,高于DDR5同规格的5.9美元。业内分析认为,倒挂源于供给缺口扩大(DDR4减产速度>DDR5增产速度) 及投机性买盘涌入。
2. 产业链进入“惜售-追涨”循环
南亚科等厂商暂停报价,下游ODM/OEM厂商为巩固货源大举扫货。南亚科库存周转天数从90天骤降至30天,订单能见度延至2026年。澜起科技坦言:“客户安全库存机制失灵,恐慌性追货导致控盘难度激增”。
三、产业链重构:国产厂商的战略机遇
1. 长鑫存储引领国产替代加速
三大原厂退出留下约30%市场空间,长鑫存储凭借成熟DDR4产能快速补位。其合肥工厂月产能达20万片,成本较韩厂低40%。TrendForce预测,2025年长鑫DRAM市占率将突破12%,推动全球市场形成“四巨头”格局。
2. 技术转型与产能切换同步推进
尽管DDR4带来短期红利,头部企业同步布局高端市场:
● 长鑫存储DDR5颗粒已登陆电商平台,初代芯片面积68mm²(较三星大40%),性能无显著差距;
● 澜起科技DDR5内存接口芯片2024年出货量超DDR4,2025年渗透率预计再提升30%。
四、未来趋势:涨势延续与技术迭代并存
1. DDR4价格或持续上行至年底
集邦咨询最新预测:2025年Q2服务器DDR4模组合约价环比涨幅上修至18%-23%,PC DDR4模组涨13%-18%。南亚科内部研判:“供需缺口难缓解,涨势可能贯穿全年”。
2. DDR5替代进程提速
英特尔AMD新平台全面转向DDR5支持,其带宽(6400MT/s)为DDR4的2倍,功耗降低20%,更适配AI PC/服务器场景。预计2025年DDR5市场份额突破50%,2026年DDR4将进入淘汰周期。
6月17日,亚马逊AWS与韩国SK集团联合宣布,将在韩国蔚山市建设总电力容量达103兆瓦的超级AI数据中心。该项目规划部署60,000颗高端GPU,建成后将成为韩国规模最大的人工智能计算基础设施。据项目规划文件显示,项目总投资额达45亿美元,其中AWS单独注资40亿美元,预计2027年11月完成一期41兆瓦供电系统建设,2029年2月实现全容量运营。
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Teledyne e2v最新推出的三款航天级工业CMOS传感器(Ruby 1.3M USVEmerald Gen2 12M USVEmerald 67M USV),分辨率覆盖130万至6700万像素,均通过Delta空间认证及辐射测试。这些传感器在法国格勒诺布尔和西班牙塞维利亚设计制造,专为极端太空环境优化,适用于地球观测卫星恒星敏感器宇航服摄像机及深空探测设备。产品提供U1(类欧空局ESCC9020标准)和U3(NASA Class 3)两种航天级筛选流程,并附辐射测试报告与批次认证。