联电强化中国台湾布局 双轨推进先进制程与封装技术

【导读】全球晶圆代工大厂联电（UMC）于6月20日回应市场动向，明确表态将中国台湾作为产能扩张核心基地，同步整合先进封装技术以提升产业链价值。公司财务长刘启东强调，虽未证实南科购置瀚宇彩晶厂房的传闻，但将持续评估对营运具实质效益的在地化投资，包括厂房扩充、技术合作与新产线部署。

先进封装技术双线布局 新加坡产能与台湾研发协同

联电目前在新加坡已建立2.5D先进封装量产能力，并逐步将关键技术制程移回中国台湾。公司计划结合自主开发的"晶圆对晶圆键合"（Wafer to Wafer Bonding）技术，在台湾构建更完整的封装解决方案。此举旨在满足AI芯片、HPC（高性能计算）等需求，强化从制造到封装的垂直整合能力。

技术战略：12纳米合作深化 化合物半导体成新引擎

现阶段联电核心制程聚焦12纳米技术，并与英特尔展开联合开发。除逻辑芯片外，公司加速投入化合物半导体（如氮化镓GaN、碳化硅SiC）及横向特制化平台，通过材料创新拓展车用电子、射频元件等高成长领域。刘启东指出，联电正从"纯晶圆代工"转向高附加值整合服务商，封装技术与异质整合成为新竞争壁垒。

全球产能弹性配置 台湾稳居研发制造双枢纽

面对地缘政治与供应链重组压力，联电采取"全球布局、台湾优先"策略。中国台湾凭借半导体人才密度、完整供应链生态及政策支持三大优势，持续承担超过70%的研发与高端制造任务。公司同步推进新加坡P3厂扩建（预计2026年量产），形成跨区域产能备份体系。

财务策略审慎 资本支出聚焦差异化技术

2025年首季财报显示，联电22/28纳米制程营收占比达37%，成为获利主干。未来资本支出将倾斜于南科P6厂12英寸扩产及新加坡厂区建设，同时严控成熟制程投资。惠誉报告指出，联电通过特制化技术规避8英寸产能过剩风险，维持优于行业的毛利率表现。