破局AI供电瓶颈！力积电携纳微半导体攻入英伟达GB300供应链

【导读】全球半导体产业迎来关键转折点！台湾晶圆代工大厂力积电（6770）正式宣布与美国氮化镓技术领导者纳微半导体（Navitas）达成深度战略合作。根据协议，纳微半导体将在力积电台湾竹南8B厂区建立先进氮化镓（GaN）功率芯片生产线，采用0.18微米CMOS制程技术。这一合作标志着力积电成功切入AI巨头英伟达的核心供应链体系。

破解AI电源瓶颈 纳微800V方案获英伟达青睐

此次合作的核心驱动力源于AI算力需求的爆炸性增长。英伟达即将于2025年推出的下一代AI芯片GB300，单卡功耗飙升至1.4kW（千瓦），远超当前GB200的1.2kW。为解决200kW以上机柜的供电难题，纳微半导体凭借革命性的800V高压直流输电（HVDC）架构方案，于今年5月成功夺得英伟达GB300的氮化镓电源管理芯片大单。该方案融合了纳微的“GaNFast”氮化镓与“GeneSiC”碳化硅技术，彻底突破传统54V供电系统的功率限制。

力积电0.18微米制程 承接关键转单

随着合作落地，力积电正式跻身英伟达关键芯片代工伙伴行列。值得关注的是，此次合作也意味着供应链的重大转移。据行业消息，台积电已规划于2027年7月终止氮化镓晶圆生产，促使纳微将产能转向力积电。力积电总经理朱宪国表示：“双方在硅基氮化镓技术上已有多年合作基础，产品认证即将完成，量产在即。”根据规划，力积电将为纳微生产100V至650V全系列氮化镓产品，首批认证预计今年第四季度完成，100V系列将于2026年上半年率先投产，650V产品将在未来1-2年内完成从现有代工厂的产能转移。

氮化镓三大优势驱动AI电源革命

氮化镓技术之所以成为AI服务器的供电解决方案，关键在于其三大核心优势：

1. 高效节能：低导通电阻和高切换速度显著提升电源转换效率，降低高达40%的能源损耗

2. 性能跃升：支持更快响应速度和更高功率密度，完美匹配GPU的瞬时峰值功耗

3. 空间优化：器件体积缩小60%，助力打造更紧凑的电源模块，提升服务器空间利用率 这些特性使氮化镓成为处理千安级大电流和千伏级高电压的理想选择，为AI算力持续增长提供了基础保障。

产业格局重构 台系双雄共筑AI生态

随着力积电成功切入英伟达供应链，台湾地区两大晶圆代工厂在AI领域形成新的协同格局：

  ●  台积电：继续主导英伟达Blackwell平台等核心AI处理器代工

  ●  力积电：聚焦氮化镓电源管理芯片，解决AI服务器的供电瓶颈 行业专家形象比喻：“若将AI服务器比作人体，台积电生产的芯片是服务器的大脑，而力积电制造的氮化镓电源芯片则是保障大脑高效运转的‘养分输送系统’。”

市场前景与量产规划

力积电此次布局瞄准两大万亿级市场：

1. 48V基础设施：满足超大规模AI数据中心指数级增长的供电需求

2. 新能源汽车：切入电动汽车高压快充系统供应链 据纳微半导体公开数据，其GaNSafe技术已通过车规认证，并在效率、功率密度等关键指标上建立技术壁垒。随着GB300在2025年的量产导入，力积电与纳微的合作将迎来爆发式增长机遇，重塑全球第三代半导体产业格局。