发布时间:2025-07-7 阅读量:851 来源: 我爱方案网 作者: wenwei
【导读】据行业权威渠道确认,高通已正式取消双供应商计划,终止与三星在下一代旗舰芯片Snapdragon 8 Elite Gen 2(代号SM8850)上的合作。该处理器将完全由台积电采用第三代3纳米制程(N3P)独家代工,此前规划的三星2纳米版本(代号Kaanapali S)已被移除产品线。
双供应商策略搁浅 成本管控遇阻
高通原计划通过三星2纳米(8850-S)与台积电3纳米(8850-T)双版本并行生产,以平衡供应链风险并控制成本。但最新产品代码清单显示,两款子型号标识已被统一为单一型号SM8850。业内分析师指出,三星晶圆厂在先进制程的良率瓶颈是策略变更的核心诱因——其2纳米工艺当前良率仅徘徊于50%,远低于量产所需的70%基准线。
良率困局成三星出局关键
三星半导体虽积极提升2纳米工艺成熟度,但近期技术简报表明其距离稳定量产仍有差距。低良率直接导致芯片有效产出率下降,若强行投产将使单颗芯片成本激增。高通评估认为,这将对采用该芯片的终端厂商造成显著成本压力,最终影响旗舰手机定价策略与市场竞争力。
台积电独家代工引发产业链连锁反应
随着代工权集中,高通参考设计芯片(QRD 8850)的预估单价已升至15,000美元,较双供应商模式上涨约20%。包括三星Galaxy S26系列在内的Android旗舰机型将全面转向台积电版本芯片,手机厂商的测试验证成本亦随之攀升。值得注意的是,这已是高通连续两代旗舰芯片由台积电独家代工。
行业影响与未来展望
此次调整将进一步强化台积电在先进制程领域的领导地位,而三星晶圆代工业务则需加速突破3/2纳米技术瓶颈以重获客户信心。市场关注焦点转向三星能否在2025年量产的SF2工艺(第二代2纳米)实现良率达标,从而争取高通后续订单。短期内,安卓阵营旗舰机的芯片供应链将深度绑定台积电产能。
近日,AI芯片企业寒武纪(Cambricon)发布业绩预告,其营收或利润出现惊人增长,同比增幅高达4300%,引发资本市场和科技行业的广泛关注。这一数据不仅标志着寒武纪自身发展的重大突破,也折射出中国AI芯片行业在技术突破、市场拓展和生态构建方面的显著进展。
BLDC电机控制与驱动器技术正朝着智能化、集成化、高效化方向持续演进。
霍尔效应是指当电流垂直于外磁场方向通过导体时,在导体两侧会产生电势差的现象。在现代材料科学和半导体工业中,霍尔效应测试已成为表征材料电学性能的重要手段,能够精确测量载流子浓度、迁移率、电阻率等关键参数。然而,精确的霍尔测量面临着多重技术挑战:微弱信号的检测(通常为微伏级)、高精度电流源需求、复杂的温度环境影响以及多参数同步测量需求。
Seal Ring,中文常译为“密封环”或“保护环”,是位于芯片最外层的一圈特殊结构,通常由多层金属和介质材料构成,环绕在芯片有源电路区域(即核心功能模块)的四周。它并非用于信号传输或数据处理,而是作为一种物理和电气的“防护屏障”,主要作用是保护芯片内部精密的电路结构免受外部环境和制造工艺的影响。
14名犯罪嫌疑人因非法获取、泄露华为公司商业秘密,被法院依法判处有期徒刑。