联电加速高压制程与先进封装布局，携手英特尔、高通突围成熟制程竞争

【导读】中国台湾芯片制造商联华电子（联电）近期在高压制程技术与先进封装领域取得突破性进展。公司2024年投入156亿新台币研发资金，重点攻关5G通信、AI、物联网及车用电子所需工艺，同步推进12nm/14nm特殊制程及3D IC封装技术。

其开发的**14nm鳍式场效晶体管嵌入式高压平台（14eHV）已实现技术突破，而12nm FinFET制程（12FFC）**较上一代性能提升10%、功耗降低20%，芯片面积缩减超10%，成本竞争力显著增强。

更引人关注的是，联电与英特尔的合作或将从12nm延伸至6nm先进制程，此举有望助其摆脱成熟制程市场低价竞争困境。与此同时，联电成功获得高通先进封装订单——其自研高阶中介层（Interposer）通过高通电性验证，首批1500nF/mm²电容产品进入试产阶段，预计2026年首季量产。

为深化合作，高通已将炉管机台进驻联电厂房，双方共同锁定AI PC、车用电子及AI服务器市场。联电凭借硅穿孔（TSV）等成熟工艺积累，在2.5D/3D先进封装领域具备量产能力，此次合作将为其开辟HPC（高性能计算）市场新增长曲线。

联电强调，正协同智原、硅统等生态伙伴构建先进封装技术体系，通过技术差异化战略提升在全球半导体产业链中的竞争力。