发布时间：2025-07-7 阅读量：500 来源: 我爱方案网 作者: wenwei
【导读】中国台湾芯片制造商联华电子（联电）近期在高压制程技术与先进封装领域取得突破性进展。公司2024年投入156亿新台币研发资金，重点攻关5G通信、AI、物联网及车用电子所需工艺，同步推进12nm/14nm特殊制程及3D IC封装技术。
其开发的**14nm鳍式场效晶体管嵌入式高压平台（14eHV）已实现技术突破，而12nm FinFET制程（12FFC）**较上一代性能提升10%、功耗降低20%，芯片面积缩减超10%，成本竞争力显著增强。
更引人关注的是，联电与英特尔的合作或将从12nm延伸至6nm先进制程，此举有望助其摆脱成熟制程市场低价竞争困境。与此同时，联电成功获得高通先进封装订单——其自研高阶中介层（Interposer）通过高通电性验证，首批1500nF/mm²电容产品进入试产阶段，预计2026年首季量产。
为深化合作，高通已将炉管机台进驻联电厂房，双方共同锁定AI PC、车用电子及AI服务器市场。联电凭借硅穿孔（TSV）等成熟工艺积累，在2.5D/3D先进封装领域具备量产能力，此次合作将为其开辟HPC（高性能计算）市场新增长曲线。
联电强调，正协同智原、硅统等生态伙伴构建先进封装技术体系，通过技术差异化战略提升在全球半导体产业链中的竞争力。
近日，AI芯片企业寒武纪（Cambricon）发布业绩预告，其营收或利润出现惊人增长，同比增幅高达4300%，引发资本市场和科技行业的广泛关注。这一数据不仅标志着寒武纪自身发展的重大突破，也折射出中国AI芯片行业在技术突破、市场拓展和生态构建方面的显著进展。
BLDC电机控制与驱动器技术正朝着智能化、集成化、高效化方向持续演进。
霍尔效应是指当电流垂直于外磁场方向通过导体时，在导体两侧会产生电势差的现象。在现代材料科学和半导体工业中，霍尔效应测试已成为表征材料电学性能的重要手段，能够精确测量载流子浓度、迁移率、电阻率等关键参数。然而，精确的霍尔测量面临着多重技术挑战：微弱信号的检测（通常为微伏级）、高精度电流源需求、复杂的温度环境影响以及多参数同步测量需求。
Seal Ring，中文常译为“密封环”或“保护环”，是位于芯片最外层的一圈特殊结构，通常由多层金属和介质材料构成，环绕在芯片有源电路区域（即核心功能模块）的四周。它并非用于信号传输或数据处理，而是作为一种物理和电气的“防护屏障”，主要作用是保护芯片内部精密的电路结构免受外部环境和制造工艺的影响。
14名犯罪嫌疑人因非法获取、泄露华为公司商业秘密，被法院依法判处有期徒刑。
