发布时间:2025-07-21 阅读量:117 来源: 我爱方案网 作者: wenwei
【导读】近日,三星电子正加速推进其位于美国德克萨斯州泰勒市芯片工厂的建设进程。据外媒报道,三星已调派大量芯片制造领域的专业工程师前往该工厂,以加快设备安装与生产线调试。此举不仅是为了满足潜在美国客户的订单需求,更是为了确保工厂能在规定期限内投产,从而获得美国《芯片法案》的巨额补贴。
建设进度延期,但目标明确
根据三星C&T(三星电子建设部门)提交的文件显示,截至2024年3月,泰勒工厂的建设进度已达91.8%。然而,由于供应链调整及客户需求的不确定性,原定于2024年4月完工的计划已被推迟至2025年10月。尽管如此,三星仍在全力推进项目,以确保2026年底实现大规模量产。
争夺芯片法案补贴是关键动力
美国《芯片法案》计划为本土半导体制造提供520亿美元的补贴,但企业需满足严格的投产时间要求。分析认为,三星加速泰勒工厂建设的主要动机之一,正是为了确保符合补贴资格。若未能按时投产,三星可能面临数十亿美元的补贴损失,并影响其在美国市场的长期竞争力。
技术突破:2nm良率冲刺70%
除了工厂建设,三星还在加紧提升2nm制程技术的良率,目标是在2024年底前达到70%。这一技术突破至关重要,因为泰勒工厂未来将主要生产3nm及更先进的2nm芯片,而稳定的良率是吸引苹果、高通、英伟达等美国客户的关键。
挑战与机遇并存
尽管三星在技术研发和工厂建设上投入巨大,但泰勒工厂仍面临多重挑战,包括供应链本地化、人才短缺以及美国客户的订单确定性。如果三星能顺利解决这些问题,该工厂将成为其在全球半导体竞争中的重要筹码,进一步缩小与台积电的差距。
在工业自动化和新能源汽车快速发展的浪潮中,电子系统对功率器件的空间利用率和热管理性能提出了前所未有的严苛要求。Nexperia准确把握市场需求脉搏,正式推出采用创新铜夹片封装技术的MJPE系列双极性晶体管。这12款突破性产品标志着高功率密度与强健可靠性的完美融合,为工程师提供前所未有的设计自由度。
据最新市场消息与厂商证实,美国商务部在人工智能(AI)高性能芯片对华出口管制政策上进行了审慎调整。芯片巨头英伟达(NVIDIA)与超威半导体(AMD)均已获得美方新的授权许可,允许其向中国大陆市场恢复特定型号AI芯片的销售,其中包括英伟达专为中国市场设计的H20芯片以及AMD的部分产品线(如被广泛关注的MI 308系列)。
近日,台积电位于嘉义科学园区的CoWoS先进封测厂再度发生安全事故,引发业界关注。据台媒报道,7月20日,该厂区内一辆载重约50吨的施工板车突然翻车,所幸未造成人员伤亡。然而,这已是该工地近两个月内发生的第四起重大安全事故,累计已导致2人死亡、2人重伤。
2025年7月18日,江波龙发布公告,回应市场关注问题,并指出全球半导体存储市场自2025年3月底开始逐步回暖。公司表示,随着主要存储晶圆厂商实施新一轮减产或控产计划,市场供需关系改善,存储产品价格在2025年第一季度后半期呈现上涨趋势。同时,下游客户经历三个季度的库存消化后,需求迎来实质性增长。行业分析机构预测,第三季度服务器、手机等领域的存储产品价格仍具备上行空间。
多伦多大学研究团队近日披露了一项突破性发现——全球首例针对GPU显存的Rowhammer攻击"GPUHammer"成功实施。该技术通过高频访问特定内存区域引发相邻单元格比特翻转,导致AI模型输出结果出现灾难性偏差。实验数据显示,受攻击的神经网络准确率可从80%骤降至0.02%,暴露出硬件底层安全机制的致命缺陷。