铠侠第9代BiCS闪存量产在即：性能提升61%，瞄准AI与智能手机市场

【导读】日本领先的NAND闪存制造商铠侠（Kioxia）近日宣布，其采用第9代BiCS 3D NAND FLASH技术打造的512Gb TLC产品正式启动客户样品出货。公司明确规划，这款代表业界尖端技术的新品将在2026年3月底之前完成大规模量产进程。此举标志着铠侠在3D NAND技术迭代上取得重要突破，旨在满足日益增长的高性能存储需求。

技术突破：基于5代平台，实现层堆叠与能效飞跃

铠侠本次推出的第9代BiCS闪存产品，在技术基础上延续并优化了成熟的第5代BiCS FLASH的核心架构，整合了其先进的120层堆叠制程工艺与最新的CMOS周边电路技术。官方性能测试数据显示，与此前于2022年投入量产的第6代BiCS FLASH产品直接对标，新一代闪存展现出质的飞跃：写入性能提升幅度高达61%，读取性能亦实现了12%的增长；在能效方面表现尤为亮眼，整体功耗改善约30%，其中在写入操作时的功耗降低更为显著，达到36%，读取操作的功耗也下降了27%。这些改进对于移动设备提升续航与响应速度意义重大。

产能布局：四日市工厂担纲制造，目标市场明确

据悉，铠侠第9代BiCS产品的生产将由其位于日本的高端制造基地——四日市工厂（Yokkaichi）主导完成。该产品的设计应用场景聚焦于对性能和能效要求严苛的领域，智能手机将是其首要目标市场，旨在为下一代旗舰移动终端提供更快、更省电的存储解决方案。

加码AI存储：双工厂扩产，五年产能翻倍

值得注意的是，铠侠于本年度6月初发布了雄心勃勃的中长期发展战略蓝图。该计划的核心目标是在截至2029年3月财年（FY2028）为止的五年内，将公司NAND闪存的综合产能扩展至2024财年（FY2023）水平的两倍。为实现这一宏伟目标，铠侠将对日本境内的两座核心生产基地——四日市工厂和北上工厂（Kitakami）——进行产线的战略性扩建与升级。

BiCS8加速推进，北上工厂K2厂房即将投产

北上工厂的扩建已进入关键阶段，其备受瞩目的“第2厂房（K2）”计划于今年9月正式投产运营。该厂房将率先用于生产铠侠的第8代NAND闪存技术“BiCS8”。铠侠的战略部署十分清晰，将加速提升BiCS8在其产品组合中的生产比例，并明确设定了在2026年3月底前（即FY2025财年结束前），使基于BiCS8技术的产品营收规模超越当前主力产品的目标。此举不仅旨在满足多元化市场需求，更是大力押注AI数据中心所需的庞大NAND闪存增量市场，巩固其在高端存储领域的竞争优势。