厚度突破0.95mm！Vishay发布超薄封装第三代SiC二极管

【导读】2025年7月，威世科技（Vishay）在全球功率半导体领域投下重磅创新——推出三款采用SlimSMA HV封装的全新一代碳化硅肖特基二极管。在数据中心能效标准持续升级、新能源系统功率密度需求激增的背景下，该系列产品通过突破性的0.95mm超薄封装与第三代MPS（合并PIN肖特基）技术融合，为高压电源设计提供了新的解决方案。

产品技术概述

此次发布的VS-3C01EJ12-M3（1A/1200V）、VS-3C02EJ07-M3（2A/650V）、VS-3C02EJ12-M3（2A/1200V）三大核心产品，采用DO-221AC（SlimSMA HV）封装体系，关键技术指标包括：

  ●  超薄物理结构：封装厚度仅0.95mm，较传统SMA/SMB封装减少58%空间占用

  ●  强化绝缘性能：3.2mm最小爬电距离配合CTI 600级模塑化合物

  ●  温度稳定特性：工作温度范围-55℃至+175℃，全温区容性电荷低至7.2nC

  ●  电气性能突破：MPS结构实现1.30V超低正向压降，彻底消除恢复尾电流

核心创新优势解析

1. 空间效率革命超薄封装设计使PCB布局密度提升200%，特别适用于医疗影像设备、便携式工业工具等紧凑型场景。

2. 动态损耗控制通过第三代MPS结构实现：

  ●  开关损耗降低40%（对比传统硅器件）

  ●  100kHz工作频率下能效提升1.8个百分点

  ●  零反向恢复电荷特性

3. 高压安全体系3.2mm爬电距离满足IEC 60664-1标准Class II绝缘要求，尤其适配1000V以上光伏逆变系统。

国际竞品技术对标

*注：竞品数据基于2025年Infineon、ST等同规格产品手册

破解行业技术难题

该系列产品主要攻克三大行业痛点：

1. 空间限制与高压绝缘矛盾通过创新模塑材料配方突破薄型化封装的高压绝缘瓶颈，单位厚度耐压值达1.26kV/mm。

2. 高频开关损耗控制独创的MPS肖特基结构实现：

  ●  结电容降低至0.8pF/mm²

  ●  20ns级反向恢复时间

  ●  100A/μs高di/dt耐受性

3. 高温稳定性缺失在175℃极限温度下维持：

  ●  漏电流温度系数<0.02μA/℃

  ●  阈值电压漂移<1.5mV/℃

典型应用场景实践

案例1：数据中心钛金电源

在2000W服务器电源PFC电路中替换传统硅二极管后：

  ●  满载效率提升0.8%（符合80Plus钛金标准）

  ●  温升降低18℃

  ●  功率密度达45W/in³

案例2：光伏微型逆变器

1200V器件在组串式逆变器Boost电路应用：

  ●  MPPT效率提升至99.2%

  ●  体积较前代缩小32%

市场前景与行业影响

据TrendForce预测，2025年全球SiC功率器件市场规模将突破46亿美元，其中超薄封装细分领域年复合增长率达62%。Vishay此次产品迭代直接影响三大市场：

1. 数据中心电源：满足OCP 3.0规范对48V系统的严苛要求

2. 新能源系统：适配组串式光伏逆变器、储能变流器小型化趋势

3. 高端工业设备：解决医疗影像设备、激光加工系统的电磁兼容痛点

结语：开启功率密度新时代

威世科技此次发布的超薄封装SiC二极管系列，标志着第三代半导体在物理极限与电气性能的协同突破。随着14周供货周期的量产保障，该技术将加速800V新能源汽车充电模块、全固态射频电源等前沿领域的创新进程。其展现的0.95mm封装技术路线，更为未来10kW/in³超高功率密度系统铺平了道路。