发布时间：2025-08-5 阅读量：178 来源: 我爱方案网 作者: wenwei
【导读】2025年8月1日，璞璘科技自主研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备正式通过验收并交付国内特色工艺客户。该设备攻克了步进硬板非真空贴合、喷胶与薄胶压印、压印胶残余层控制等关键技术，标志着我国在高端半导体装备领域取得实质性突破。
技术指标国际领先 工艺精度达纳米级
PL-SR系列设备可支持线宽＜10nm的纳米压印光刻工艺，超越佳能FPA-1200NZ2C设备14nm的制程能力。通过创新喷墨涂胶工艺，设备实现了平均残余层厚度＜10nm、波动范围＜2nm的原子级精度控制，结构深宽比突破7:1。自主研发的模板面型控制系统解决了石英模板与硅晶圆间的翘曲贴合难题，为高精度压印奠定基础。
差异化优势显著 重塑芯片制造成本结构
相较EUV光刻技术，纳米压印设备能耗降低90%，投资成本仅为EUV系统的40%。璞璘科技同步开发了可溶剂清洗的光固化纳米压印胶体系，规避了石英模板污染风险。设备采用喷墨打印动态调胶技术，可依据芯片结构的占空比变化精准调控胶量，显著提升工艺稳定性。
应用场景聚焦存储芯片 突破海外技术封锁
尽管该技术暂不适用于多层逻辑芯片制造，但在存储芯片领域优势突出。NAND Flash的多层同构特性与纳米压印工艺高度适配，PL-SR系列已通过存储芯片、硅基微显、硅光及先进封装等验证。此次交付打破了海外对华禁运高端纳米压印设备的局面，为国产存储芯片厂商提升制程竞争力提供关键装备支撑。
拼版技术实现晶圆级量产 产业链协同攻关持续
设备搭载高精度拼版系统，支持最小20mm×20mm模板的均匀拼接，最终覆盖300mm（12英寸）晶圆级压印。璞璘科技正联合国内科研机构攻关＜10nm对准精度技术，该指标难度与EUV光刻同属量级，产业链协同创新将成为下一代芯片装备自主化的核心路径。
在USB4®和Thunderbolt™接口传输速率突破10GHz的产业背景下，静电放电（ESD）和意外短路引发的系统失效已成为消费电子与通信设备的核心痛点。传统保护方案在射频性能与防护强度间的取舍矛盾，特别是不合规Type-C接口中Vbus与TX/RX短路风险，迫使行业寻求突破性解决方案。Nexperia最新推出的五款1V保护二极管，通过创新架构实现鱼与熊掌兼得的技术跨越。
全球晶圆代工龙头企业台积电在推进2nm先进制程量产的关键阶段，于内部安全审查中发现异常活动。公司声明显示，其监控系统侦测到未经授权的技术信息访问行为，已对涉事人员解除雇佣关系，并启动法律程序追责。
在2025年8月4日，全球领先的半导体解决方案供应商Onsemi正式发布了其2025年第二季度财务报告。本季度，公司展现了稳健的经营表现，反映其在功率半导体领域的战略优势。随着汽车电子化和人工智能应用的加速渗透，Onsemi通过持续优化业务模式，在充满变化的市场环境中取得可喜进展。
据Counterpoint Research近期发布的报告，2025年第二季度，全球智能手机市场呈现显著收入增长，总收入达1000亿美元以上，同比提升10%。这一数据创下了自统计以来第二季度的收入新高峰。尽管出货量仅同比增长3%，不足总量的显著跃升，但市场动能源于平均售价（ASP）的大幅上涨。报告显示，本季度ASP同比增长7%，达到约350美元的历史高位，反映出消费者对高端设备的强劲需求推动了整体盈利能力提升。这种收入与出货量的差异化增长，突显了市场结构正加速向高端化转变。
美光科技于8月5日推出革命性存储产品矩阵——包含全球首款PCIe 6.0 SSD的9650系列、业界最高密度6600 ION SSD及低延迟7600 SSD。该系列基于自研G9 NAND打造，针对AI数据中心的数据洪流挑战，在性能密度、能效比和延迟控制维度实现技术飞跃。
