罗姆加速SiC技术布局应对市场变局，2025财年Q1利润承压

【导读】2025财年第一季度，日本罗姆半导体（ROHM）面临严峻财务挑战：营收同比下滑1.8%至1162亿日元，营业利润暴跌84.6%至1.95亿日元。尽管净利润下滑14.3%，但公司成功结束连续三季亏损，实现扭亏为盈。业绩承压主因工业机械与汽车应用领域需求疲软（销售额分别下降5%和7%），叠加中国碳化硅（SiC）厂商的竞争冲击。

为突破困局，罗姆启动“技术超车”战略：

1. 产品研发提速：第六代SiC MOSFET上市计划从2028年提前至2027年，第七代产品提前至2028年，第八代已进入模拟设计阶段。其独创的“奇偶代团队竞争”开发模式（奇数代与偶数代由不同团队并行研发）成为加速核心。

2. 承认中国技术实力：功率器件业务负责人井野一英公开表示，中国企业在SiC基板功能上“已达顶级水平”，半导体技术差距仅约一代，迫使罗姆必须“以速度换市场”。

产能布局同步调整：

  ●  宫崎县新工厂启动SiC基板试产，计划2026年春季量产功率半导体。但受需求波动影响，2025财年资本支出削减36%至850亿日元，折旧费用下降26%。

  ●  全球SiC产业进入调整期：意法半导体、英飞凌等头部企业均下调营收预期，住友电工甚至取消300亿日元新厂建设计划，Wolfspeed关闭部分产线并出售美国工厂。

多元化突围策略显现：

  ●  技术产品化落地：2025年4月推出高功率密度SiC模块“HSDIP20”，适用于电动汽车车载充电器，散热效率提升38%，安装面积减少52%。

  ●  生态协同深化：与电装（Denso）扩大合作，涵盖联合开发、生产及股权投资；同时通过在线直销平台覆盖中小客户，提供2万种元件以开拓工业设备市场。

  ●  AI与新兴需求绑定：获得英伟达硅基功率半导体订单，目标将AI相关业务规模扩至500亿日元。

行业展望：

贝哲斯咨询预测，2030年全球SiC MOSFET市场规模将达255.8亿元，年复合增长率20.5%。罗姆能否借技术迭代与市场下沉策略重占高地，将取决于其应对中国厂商成本优势与本土化供应链的能力。