国产光刻机突破性进展!稳顶聚芯首台高精度步进式光刻机成功出厂

发布时间:2025-09-26 阅读量:1608 来源: 我爱方案网 作者: 我爱方案网

9月23日,一则振奋人心的消息在国内半导体产业界掀起波澜:深圳稳顶聚芯技术有限公司(以下简称“稳顶聚芯”)宣布,其自主研发的首台国产高精度Stepper(步进式)光刻机顺利出厂。这一里程碑事件不仅标志着我国在高端光刻设备领域的关键突破,还为化合物半导体产业链注入了新动能。根据稳顶聚芯官方视频号披露的产品资料,这款代号为WS180i系列的步进式光刻机,专为mini/micro LED光电器件、光芯片及功率器件设计,具备卓越的工艺兼容性——支持硅片、蓝宝石、SiC等多种衬底,参数覆盖2-8英寸晶圆和1.5μm-0.35μm分辨率。业内分析人士指出,此举将显著提升国产半导体设备的自主可控能力,为中国在全球化竞争中的技术自强奠定基础。


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技术创新:WS180i系列光刻机的核心优势与技术细节

稳顶聚芯的WS180i系列步进式光刻机,是国产设备在分辨率、精度和应用范围上的首次重大飞跃。从官方披露的技术参数来看:

  • 分辨率覆盖1.5μm-0.35μm:这一参数代表了高精度光刻的关键门槛,尤其适用于微缩化趋势下的mini/micro LED光电器件(如显示屏背光单元)和光芯片(如激光器与探测器)。对比国际同类设备,0.35μm分辨率的突破,使国产光刻机能胜任先进制程需求,减少对进口设备的依赖。

  • 晶圆兼容性广(2-8英寸):设备支持从小尺寸实验晶圆到量产级8英寸晶圆的全链条应用,满足化合物半导体领域的多样化工艺需求。例如,在功率器件(如电动汽车的SiC模块)生产中,可高效处理厚胶工艺,优化良品率。

  • 多衬底适应性:基于步进式光刻原理,WS180i系列能灵活应对硅片、蓝宝石及碳化硅(SiC)等不同衬底材料,解决了化合物半导体领域长期面临的“材料异构”挑战。官方资料强调,该设备通过智能控制系统,确保了光刻图案的一致性和稳定性。

据悉,步进式光刻机的核心优势在于其“步进式曝光”机制——通过精确移动晶圆台,逐区域曝光图案,适用于高精度、小批量生产场景。这区别于传统投影式光刻机,更适合化合物半导体领域对灵活性和精度的苛刻要求。稳顶聚芯在研发中突破了光学系统、对准精度和控制系统等关键技术壁垒,实现了国产光刻机从“可用”到“好用”的转变。

产业背景:国产光刻机崛起的战略意义

稳顶聚芯此次突破,是我国半导体装备国产化浪潮中的重要一环。深圳稳顶聚芯技术有限公司作为新兴国产设备商,专注于光刻技术研发,其WS180i系列的出厂填补了国产高端步进式光刻机的空白。在全球化半导体产业链面临重构的背景下,这一进展尤其关键:

  • 强化产业链自主可控:当前,高端光刻机长期被ASML等国际巨头垄断,国产化率不足10%。WS180i系列的问世,可服务于mini/micro LED、第三代半导体(如GaN、SiC)等领域,助力下游企业降低成本20%-30%,避免“卡脖子”风险。

  • 推动新兴产业发展:mini/micro LED作为下一代显示技术的核心,其光电器件对光刻精度要求极高。WS180i系列的应用将加速国产高端显示技术商业化,支撑中国在“东数西算”战略中的芯片需求。同时,光芯片与功率器件领域的国产化,有望提升5G、新能源等战略产业的竞争力。

  • 技术溢出效应:业内专家分析,稳顶聚芯的研发经验可带动国内光刻产业链协同发展,例如国产光源、光学镜头的突破。公司官方表示,未来将迭代更高分辨率机型,部署于逻辑芯片试产线。

未来展望:机遇与挑战并存

尽管WS180i系列的成功出厂是国产光刻机的一大步,但业内清醒认识到,与国际领先水平仍有差距。例如,ASML的EUV光刻机已突破7nm以下分辨率,而国产设备尚处中端阶段。未来,稳顶聚芯需聚焦三大方向:一是优化量产可靠性,通过客户验证提升市场认可度;二是深化产学研合作,利用国内高校资源攻关核心部件;三是拓展国际市场,响应“一带一路”倡议。

国家政策层面,《“十四五”国家信息化规划》已将半导体设备列为重点发展领域,预计通过财政补贴和研发扶持,加速国产替代进程。随着稳顶聚芯等企业的持续创新,中国半导体产业链有望在2030年前实现关键设备70%国产化目标。

结语

稳顶聚芯WS180i系列步进式光刻机的成功出厂,不仅是一项技术突破,更是中国半导体自立自强的宣言。它以1.5μm-0.35μm的分辨率、多衬底兼容性,为国产高端制造开辟了新路径。在全球科技竞争日趋激烈的今天,这一进展提醒我们:核心技术靠化缘不行,唯有自主创新才能赢得未来。中国半导体产业正以坚实步伐,迈向光刻领域的星辰大海。


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