重磅！国内半导体设备巨头发布CCP刻蚀及TSV深硅通孔设备

12月3日消息，中微公司在互动平台表示，目前中微公司在先进封装领域（包含高宽带存储器HBM工艺）全面布局，包含刻蚀、CVD、PVD、晶圆量检测设备等，且已经发布CCP刻蚀及TSV深硅通孔设备。

半导体设备是半导体产业的先导、基础产业，具有技术壁垒高、研发周期长、客户验证壁垒高等特点。随着国产设备商技术与服务的不断突破与成熟，且进口设备成本增加50%+，设备的国产化率有望加速提升。

中微公司作为国产半导体设备龙头之一，在刻蚀、薄膜沉积、量测等多个技术方向不断取得突破，作为国内高端半导体设备制造的领军者，其等离子体刻蚀设备已应用于国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米、5纳米及其他先进集成电路加工制造生产线，以及先进存储、先进封装生产线。其中，CCP电容性高能等离子体刻蚀机和ICP电感性低能等离子体刻蚀机可覆盖国内95%以上的刻蚀应用需求，在性能、稳定性等方面满足客户先进制程的严苛要求。

中微公司目前在研项目涵盖六类设备、超二十款新设备的开发，包括新一代的CCP高能等离子体刻蚀设备、新一代的ICP低能等离子体刻蚀设备，晶圆边缘刻蚀设备，低压热化学沉积LPCVD及原子水平沉积ALD等薄膜设备、硅和锗硅外延EPI设备，新一代等离子体源的PECVD设备和电子束量检测等设备。在泛半导体微观制造领域，中微公司也在不断拓展产品布局，包括制造氮化镓基发光二极管，Mini-LED和Micro-LED的MOCVD设备，用于红黄光LED的MOCVD设备，制造碳化硅和氮化镓功率器件的MOCVD设备，制造MEMS的深硅刻蚀设备，先进封装Chiplet所需的TSV刻蚀设备和PVD设备，新型显示技术领域所需的核心薄膜及等离子体刻蚀设备等。