铠侠2026年量产第十代NAND闪存，332层堆叠助力AI数据中心存储升级！

铠侠位于岩手县北上工厂的生产将采用公司“第十代”技术。通过将垂直堆叠的存储单元层数从第八代的218层增加到332层，铠侠将使单位面积的存储容量提高59%，数据传输速度提高33%。新一代芯片还降低了功耗。

此前有传言称，铠侠将在四日市工厂生产新型芯片，该公司一直在该工厂进行研发工作。但多位知情人士透露，生产工作实际上将在岩手县北上工厂进行。该公司没有扩建计划，将使用岩手县晶圆厂第二座厂房Fab2，该厂房已于9月投入运营。

铠侠采取双管齐下的战略，一方面开发和生产高性能、低成本的芯片，另一方面开发和生产层数更多的大容量芯片。第十代存储芯片正是该公司计划生产的大容量产品。其双管齐下的战略将确保生产效率，四日市工厂将继续专注于高性能产品的生产，而需要大量资本投入以增加层数的大容量产品将在北上工厂生产。

四日市工厂的第九代高性能产品将于本财年末开始生产。铠侠预计其第九代芯片将主要用于智能手机。第九代芯片将保持与前代芯片相同的层数以降低成本，但采用更新的架构来提高数据处理速度和降低功耗。

这种新架构采用了一种技术，即生产两个独立的晶圆，一个包含存储单元，另一个包含用于读写数据的电路。然后将这两个基板直接键合在一起。这项技术自第八代芯片以来就已开始使用。传统的存储芯片是将存储单元和读写电路印刷在同一基板上。

随着铠侠北上工厂的落地，岩手县南部正加速形成具备完整产业配套的半导体制造中心。Tokyo Electron（TEL）已于11月在该地区建成集生产与物流功能于一体的综合设施，进一步强化了本地制造与供应链效率。与此同时，包括富士金（Fujikin）和米兰普洛（Mirapro）在内的多家半导体设备零部件供应商也持续扩大在当地的投入，共同构建起从零部件供应到制造整合的区域性半导体产业生态。