SK海力士加速HBM4量产：12层堆叠+3D封装突破，明年Q1向英伟达交付样品！

导读：随着人工智能和高性能计算需求的爆发式增长，高带宽内存（HBM）正成为全球半导体产业竞争的核心战场。据韩媒DealSite最新报道，SK海力士计划于2026年1月上旬向英伟达交付其下一代HBM4 12层堆叠的最终样品，并有望在2月至3月实现正式量产。

我爱方案网12月25日消息，据韩媒 DealSite 报道，SK 海力士将于明年 1 月上旬向英伟达提供下一代 HBM4 12 层最终样品。

此前，SK 海力士在进行 SiP测试的同时，一直在推进整个系统的优化工作。在这一过程中，SK 海力士与英伟达、台积电共享不良数据等“三方协作模式”也在一定程度上帮助明确了改进方向。

报道援引知情人士消息称：“经过电路修改的 HBM4 晶圆将在本月底完成流片（fab-out）。如果没有问题，计划在 1 月上旬向英伟达追加提供最终样品。”

SK海力士（SK hynix）是韩国第二大、全球第三大半导体制造商，专注于DRAM、NAND闪存及先进封装解决方案的研发与生产。作为高带宽内存（HBM）技术的先行者，SK海力士早在2013年便率先推出全球首款HBM产品，并持续引领HBM2、HBM2E、HBM3等代际演进。近年来，随着AI训练模型对内存带宽和能效提出更高要求，SK海力士凭借其在3D堆叠、TSV（硅通孔）和先进封装领域的深厚积累，稳居全球HBM市场主导地位。

HBM4作为第四代高带宽内存，相较前代产品在带宽、容量、功耗和集成度方面均有显著提升。SK海力士此次推出的HBM4采用12层堆叠结构，通过更密集的3D封装和优化的电路设计，旨在满足英伟达下一代AI加速器对极致性能的需求。

然而，技术跃迁也带来了前所未有的工程挑战。SK 海力士于今年 9 月曾向英伟达提供了首批 HBM4 客户样品。当时，SK 海力士为了配合英伟达紧迫的开发进度，甚至跳过了内部 PRA（产品可靠性评估）环节，优先将样品交付。

但随后进行的认证过程中，发现了一些需要修改的问题。在将 HBM 等多种芯片封装成一个模块的 SiP 测试中，出现了速度和可靠性方面的问题。特别是在提升速度的过程中，需要对电路线进行设计调整以减少结构上的限制。因此，SK 海力士向英伟达提供了数万片样品，并共同推进优化工作。

为解决这一问题，公司对晶圆电路进行了重新设计，并计划于2025年12月底完成流片（fab-out）。若测试顺利，最终样品将于2026年1月上旬交付英伟达。

相关人士表示：“原本在 SiP 测试过程中产生的不良数据并未在三方之间共享。即使英伟达提出请求，台积电也没有提供相关信息。但最近，台积电也开始在 HBM4 生产过程中，对于出现可靠性不良问题的环节向 SK 海力士共享数据，三方之间的信息交流正在展开。”

目前，SK 海力士已经具体掌握了不良产生的机制，据悉生产良率并未出现明显问题。该公司表示，希望按照原计划推进 HBM4 的正式量产。

在全球AI竞赛白热化的背景下，HBM4已成为决定算力上限的关键一环。SK海力士凭借技术积累与开放合作策略，正稳步推进这一战略产品的商业化进程。随着三方协作机制日益成熟，HBM4有望在2025年上半年实现规模交付，为全球AI基础设施注入强劲动力。