英特尔发布新一代EMIB-T封装技术！

英特尔旗下晶圆代工业务 Intel Foundry 近日发布了新一代 EMIB（Embedded Multi-Die Interconnect Bridge，嵌入式多芯片互连桥接）先进封装技术——EMIB-T。

英特尔表示，这项技术专为满足新型人工智能（AI）处理器与数据中心庞大的电力与数据传输需求而生，透过优化小芯片（Chiplet）架构，取代了过去制造超大型单片晶圆的做法。

英特尔指出，过去多芯片封装通常依赖覆盖整个处理器芯片底部的大型且昂贵的硅中介层（Silicon Interposer）做为底层连接。有别于此，EMIB 技术舍弃了庞大的硅区块，改将微型的高速硅桥接器嵌入至特定位置，让需要传送讯号的相邻芯片得以连结。

先前，英特尔位于新墨西哥州的 Fab 9 处理器晶圆厂工程师，成功将芯片直接嵌入硅桥接器上，使相邻的数据中心芯片能直接跨桥进行通讯。这不仅大幅降低了材料成本，还带来了更快的电气反应速度，进而缩短了芯片间高速通讯的周期时间。

英特尔强调，EMIB-T 带来的最核心创新，在于其布线通道如今可以直接“穿透”硅桥接器。在过往的世代中，电力必须绕过连接桥，这不仅会产生电阻，也会拖慢讯号传输速度。如今透过直接穿透桥接器进入硅元件，大幅减少了电力的浪费，并实现了最快的讯号传递。

这项升级对于现代高频宽内存（HBM）而言至关重要，因为它需要持续不断的供电，以及极高循环速度的讯号来达成更快速的回应。

另外，这项全新突破是英特尔晶圆代工整合异质小芯片的关键技术，使其能将不同来源的小芯片封装到业界已知最大规模的芯片上。相较于传统全尺寸的硅中介层，EMIB-T 不仅能提高生产良率并降低成本，更让打造用于数据中心的超大型并排 AI 处理器成为可能。