覆盖低压至超高压：安森美携手格罗方德共推650V硅基GaN功率器件

导读：在全球加速迈向AI、电动化与绿色能源的关键阶段，高效、高密度的功率半导体技术成为支撑未来基础设施的核心。近日，安森美（onsemi）与格罗方德（GlobalFoundries）宣布达成战略合作，共同开发基于200毫米增强型硅基氮化镓（GaN）工艺的650V横向GaN功率器件。这一合作不仅强化了安森美在智能电源领域的技术版图，更将为AI数据中心、电动汽车、可再生能源及航空航天等高增长市场提供更小体积、更高能效的系统级解决方案。

我爱方案网1月12日消息，全球知名半导体巨头安森美正式宣布，公司已与格罗方德（GlobalFoundries，纳斯达克代码：GFS，简称GF）签署合作协议。双方将基于格罗方德最先进的200毫米增强型硅基GaN工艺，共同研发并制造先进GaN功率产品，合作将从650V器件开始。此次合作将加速安森美高性能GaN器件及集成功率级的技术路线图，通过扩充高压产品组合，满足AI数据中心、电动汽车、可再生能源、工业系统以及航空航天等领域日益增长的功率需求。

“此次合作将安森美的系统及产品专业积淀，与格罗方德先进的GaN工艺相结合，为高增长市场打造全新650V功率器件。这些GaN产品搭配我们的硅基驱动器和控制器，将助力客户实现创新，为AI数据中心、电动汽车、航天应用等场景构建更小、更高能效的功率系统。我们计划于2026年上半年开始向客户提供样品，并快速扩大至量产规模。”安森美企业战略高级副总裁Dinesh Ramanathan表示。

“我们将200毫米硅基GaN平台与安森美深厚的系统和产品专业积淀相结合，不仅加速了高效解决方案的落地，更为数据中心、汽车、工业、航空航天等关键市场构建了更具韧性的供应链。以安森美为关键合作伙伴，我们将持续推动GaN半导体技术升级，满足人工智能、电气化和可持续能源领域不断演变的需求。”格罗方德首席商务官Mike Hogan说。

安森美将其行业领先的硅基驱动器、控制器和强化散热封装技术，与格罗方德的650V GaN技术平台相结合，打造出更高功率密度和能效的GaN器件。产品应用场景具体包括：AI数据中心电源及其DC-DC转换器、电动汽车车载充电机及其DC-DC转换器、微型光伏逆变器和储能系统，以及工业与航空航天领域的电机驱动器和DC-DC转换器等。

此次合作进一步扩充了安森美领先的功率半导体产品组合，如今已涵盖了全谱系GaN技术——从低压、中压、高压横向GaN，到超高压垂直GaN。这一全面布局让系统设计人员能够构建下一代电源架构，在更小的尺寸内实现更高的功率输出。GaN技术的核心优势包括：

更高开关频率——通过更高的开关频率运行，GaN技术能帮助设计人员减少元器件数量、缩小系统尺寸并降低成本，同时提升能效和散热性能。

双向导通能力——GaN的双向导通特性支持全新拓扑结构，可替代多达四个传统单向晶体管，从而降低成本并简化设计。

集成化功能——在单个封装内集成GaN FET与驱动器、控制器、隔离和保护功能，可缩短设计周期并降低电磁干扰。强化散热封装和优化的栅极驱动器，即使在高开关速度下也能保障性能和可靠性。

总的来说，此次合作标志着安森美在GaN技术布局上的关键一步——从低压到超高压，覆盖横向与垂直结构的全谱系产品体系正逐步成型。通过融合格罗方德先进的制造平台与自身在驱动器、控制器及封装技术上的深厚积累，安森美正加速推动下一代高功率密度电源系统的商业化落地。随着2026年上半年样品交付计划的推进，这一强强联合有望重塑高性能功率电子的产业格局，为全球能源效率提升与可持续发展注入强劲动力。