SiC/GaN芯片被纳入国家战略技术，韩国加码功率半导体！

韩国正持续强化对下一代功率半导体的政策支持，这是其推进本土芯片制造、降低对海外供应链依赖整体战略的重要一环。目前，韩国本土晶圆代工厂已在加快碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）器件的商业化进程。同时，韩国政府计划于今年1月正式成立功率半导体专项工作组，进一步表明该国正系统性提升在电动汽车、可再生能源及工业设备等领域所需高效芯片的产业布局与自主供应能力。

作为这项举措的一部分，SiC碳化硅功率半导体技术极有可能被指定为国家战略技术，此举将带来税收优惠、补贴和监管支持。这一前景促使该计划的核心企业之一SK Keyfoundry加快其生产进度，并正在积极准备，争取最早于2026年第一季度开始量产SiC功率器件。该公司即将完成1200V SiC MOSFET的研发，该产品是高压应用的关键产品。

基于GaN的功率半导体也在朝着商业化方向发展。DB HiTek已完成650V GaN工艺的研发，目前正向无晶圆厂芯片设计商提供GaN多项目晶圆，并计划在年内实现实质性的量产。为了满足预期的需求增长，DB HiTek正在扩建忠清北道园区洁净室，增加GaN和SiC器件的产能。扩建完成后，该公司8英寸晶圆的月产能将提升约23%。

这项最新的政策举措建立在政府此前为提升韩国非存储半导体能力所做的努力之上。2025年12月，韩国考虑以4.5万亿韩元的公私合营投资建设一家专注于关键芯片和传统芯片（包括汽车和国防相关半导体）的本土晶圆代工厂。该计划反映出韩国政府担忧，尽管凭借三星电子和SK海力士在存储芯片领域占据主导地位，但在逻辑芯片和特种芯片制造方面却落后于中国台湾和美国。

韩国政府近期就优先采购国产芯片用于国家安全基础设施展开讨论，并计划成立总统级半导体委员会以强化政策统筹。与此同时，产业投资步伐同步加快：SK Keyfoundry于2025年通过收购SK Powertech增强了碳化硅（SiC）制造能力，获取了关键工艺与器件设计技术，从而提升了自主化水平；DB HiTek则早在2022年已开始布局氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术，将化合物半导体确立为长期增长引擎。