总投资240亿美元,镁光新加坡工厂开始动工

发布时间:2026-01-27 阅读量:734 来源: 发布人: bebop

导读:在全球人工智能(AI)浪潮推动存储需求激增的背景下,全球领先的半导体制造商美光科技(Micron Technology)近日宣布启动其位于新加坡的全新NAND闪存晶圆厂建设。该项目不仅是新加坡首座双层晶圆厂,更标志着美光未来十年在该国高达240亿美元的重大投资布局。新厂预计于2028年下半年正式投产,将与同期建设的HBM先进封装工厂协同发力,全面支撑AI时代对高性能、高密度存储解决方案的迫切需求。


近年来,随着生成式AI、大模型训练及数据中心规模的迅猛扩张,全球对高性能存储芯片的需求持续攀升。作为关键的存储技术之一,NAND闪存在固态硬盘(SSD)、服务器和智能终端设备中扮演着不可或缺的角色。在此背景下,各大存储芯片厂商纷纷加速产能扩张与技术升级。美光作为全球三大DRAM和NAND供应商之一,正积极布局全球制造网络,以巩固其在AI存储市场的领先地位。


2026年1月26日,Micron 美光今日宣布启动位于新加坡的 NAND 闪存新晶圆厂建设工程。这座设施是新加坡首个双层晶圆厂,未来十年总投资约 240 亿美元,预计 2028 年下半年投产。


镁光.png

(镁光新加坡工厂)


美光表示,未来十年将投资建设一座先进的晶圆制造厂,这将有助于满足市场对NAND闪存芯片日益增长的需求,而这种需求是由人工智能和以数据为中心的应用的兴起所推动的。


该公司在一份声明中补充说,晶圆生产将于 2028 年下半年开始,生产地点位于一个占地 70 万平方英尺(6.5 万平方米)的洁净室空间内。

美光98%的闪存芯片都在新加坡生产,该公司还在新加坡建造一座价值70亿美元的先进封装厂,用于生产人工智能芯片中使用的高带宽内存(HBM),预计将于2027年开始投产。


与此同时,美光在新加坡同步推进的HBM先进封装工厂,将专注于生产面向AI加速器和GPU的高带宽内存。HBM通过堆叠DRAM芯片并采用硅通孔(TSV)技术,实现远超传统内存的带宽性能,已成为训练大模型的核心硬件组件。


据TrendForce 数据显示,到 2025 年第三季度,美光将成为第四大闪存芯片供应商,市场份额为 13%。目前,美光在新加坡拥有超过4,000名员工,运营多座晶圆厂和封装测试设施,是当地重要的高科技生产与出口企业。


220x90
相关资讯
兆易创新发布新一代大容量SPI NAND Flash,助力智能设备存储升级!

4月2日,兆易创新宣布正式发布新一代SPI NAND Flash产品GD5F4GM7/GD5F8GM8。

标普全球警告:中东冲突或影响科技巨头6350亿美元的AI投资

标普全球Visible Alpha研究主管Melissa Otto指出,当前推动股市创纪录上涨的人工智能巨额投资正面临显著挑战,主要由于中东危机对全球经济增长前景与能源成本带来不确定性影响。

全新存储芯片面世,可在 700°C 高温下稳定运行!

南加州大学团队研发新型存储芯片,可在 700°C 高温下稳定运行,且未出现性能退化迹象。

突发!传高通、联发科合计减产约1500~2000万颗4nm移动处理器

联发科和高通已开始下修于晶圆代工厂的4nm投片量,显示手机链景气明显降温

全新EM8695 5G RedCap模块上架,适用于无线工业传感器、中程物联网、资产追踪等场景

EM8695 RedCap模块基于Qualcomm SDX35基频处理器,为无需传统5G全速率或复杂功能的应用提供精简型5G解决方案