速度提升22%、带宽达3TB/s：三星春节后全球首发HBM4大规模量产

导读：三星电子计划在春节后启动全球首个高带宽存储器HBM4的大规模量产，并计划于2月第三周向英伟达交付首批产品。此举不仅标志着三星在AI存储技术领域实现重大突破，更意在扭转其上一代HBM3E产品的市场劣势。凭借1c DRAM制程、4纳米晶圆代工及创新堆叠架构，三星HBM4在速度、带宽与能效方面全面领先行业标准，有望重塑高端存储器竞争格局，并深度绑定英伟达等AI芯片巨头。

据了解，三星 HBM4 在性能上实现跨越式升级。透过创新采用 1c DRAM 制程与 4 奈米晶圆代工技术，资料处理速度达 11.7 Gbps，较 JEDEC 国际标准 (8 Gbps) 提升 37%，比上一代 HBM3E(9.6 Gbps)快 22%。单堆叠储存频宽达 3 TB/s，为前代产品的 2.4 倍；12 层堆叠结构提供 36GB 容量，未来可扩充至 48GB。

更关键的是，三星 HBM4 的低功耗设计可显著降低资料中心冷却成本，直击 AI 算力能耗痛点。

三星HBM4的量产节奏与英伟达新品发布高度协同。据悉，该产品已通过英伟达严苛的质量认证，将用于其即将在2026年3月GTC大会上发布的Vera Rubin AI加速器平台。为确保供应稳定，三星大幅增加样品交付量，强化其在英伟达核心供应链中的地位。

三星凭藉全球唯一涵盖逻辑芯片、存储器、晶圆代工、封装的全链条能力，以“一站式解决方案”打造差异化优势。另外，为支撑HBM4大规模出货，三星已在韩国平泽园区第四工厂启动新产线扩建，目标是将2026年HBM整体销量提升两倍以上。产业链消息人士透露，三星已向客户证明其具备稳定量产HBM4的能力，在与SK海力士等对手的竞争中占据先机。

分析师普遍认为，随着AI算力需求持续爆发，HBM4将成为高端存储市场的分水岭。三星此次成功量产，不仅巩固其技术领导地位，更通过绑定英伟达等重量级客户，构建起难以复制的生态护城河。此举亦有望提振投资者信心，为三星股价注入强劲动能。