受益于HBM存储芯片需求增长，传三星晶圆厂产能利用率回升至 80% 左右！

导读：在经历长达数个季度的产能闲置与订单低迷后，三星电子晶圆代工部门迎来关键转折。据韩国《Sedaily》2月22日报道，其位于平泽园区P2、P3晶圆厂的产能利用率已从不足50%显著回升至约80%。

自2022年以来，全球消费电子市场持续疲软，叠加客户库存高企、AI芯片需求尚未全面释放等因素，三星电子的晶圆代工业务陷入低谷。其主力代工厂——平泽P2与P3产线，主要承担4nm、5nm、7nm等“非尖端先进制程”芯片的制造任务，一度因缺乏大客户订单而产能利用率长期低于50%。这直接导致三星代工部门连续多个季度录得亏损，成为拖累整体半导体业务的重要因素。

如今，三星电子位于平泽园区 P2、P3 晶圆厂的晶圆代工生产线的产能利用率已从去年的不及 50% 回升至当下的 80% 左右，出现明显改观。

这些生产线制造 4nm、5nm、7nm 等“非尖端先进制程”工艺的半导体，随着三星电子存储器业务启动 HBM 量产带来大规模 Base Die 订单和外部需求的增加，原本缺乏需求的产线开始高强度运作。

值得注意的是，三星电子在晶圆代工领域拥有完整的技术路线图，覆盖从成熟制程到先进节点的全栈能力。当前平泽P2、P3工厂聚焦于4nm、5nm和7nm工艺节点，虽不属于最前沿的2nm或3nm GAA（环绕栅极）技术，但这些“次先进制程”仍是当前AI加速器、高性能计算（HPC）、车用芯片及部分智能手机SoC的主流选择。

另外，三星近期启动了HBM（高带宽内存）的大规模量产。HBM芯片结构复杂，需搭配专用的Base Die（基础裸片），而这些Base Die正是由上述4nm/5nm产线制造。随着英伟达、AMD等客户对HBM3E/HBM4的需求飙升，三星内部存储器部门与代工部门形成协同效应，有效消化了原本闲置的产能。

此外，三星正稳步推进2nm GAA工艺的量产计划，预计将在2026年实现初步商用。该技术采用全环绕栅极晶体管结构，相较FinFET可显著提升能效比与晶体管密度，被视为下一代高性能芯片的关键平台。若进展顺利，2nm将成为三星争夺苹果、高通、特斯拉等高端客户订单的核心武器。