铠侠停产!宣布退出2D NAND市场

发布时间:2026-04-2 阅读量:115 来源: 发布人: suii

据报道,铠侠(Kioxia)已向客户发出通知,计划逐步停止其2D NAND闪存的生产,这也意味着该公司将终结其平面NAND产品的制造历史。与此同时,铠侠的第三代BiCS 3D NAND闪存也将在本次调整中同步停产。


平面NAND闪存是3D NAND闪存的前身,自20世纪80年代以来一直在生产。


铠侠正在停产一系列传统NAND产品,包括基于32nm(SLC,自2009年开始量产)、24nm(MLC,自2010年开始量产)和15nm(MLC和TLC,自2014年开始量产)工艺节点的平面浮栅NAND,以及早期64层BiCS3 3D NAND(约于2017年发布)。


此次停产涵盖所有主要单元类型——SLC、MLC和TLC并几乎涵盖所有交付形式,包括裸晶圆和封装解决方案,例如BGA、TSOP、eMMC、UFS和SD卡。这表明铠侠将全面淘汰旧技术平台,而非仅淘汰部分SKU。


此次产品停产遵循标准的多年期EOL(产品生命周期结束)计划:最后购买订单将持续接受至2026年9月30日,最终出货将持续至2028年12月31日,距今约三年。此后,这些产品将彻底停产,这也标志着铠侠将退出传统的平面NAND和早期BiCS工艺,转而投身更先进的3D NAND工艺。


与此同时,铠侠停止生产2D NAND也意味着平面NAND存储器时代的落幕。该类存储器最早可追溯至1987年左右,由东芝率先投入生产,并在其继任者铠侠手中走过了约41年的历程,预计于2028年正式停产。目前,2D NAND主要应用于对工艺和成本较为敏感的传统设备领域,包括汽车、消费电子、嵌入式与工业设备,以及部分需长期稳定供货的专用存储产品。


220x90
相关资讯
富士通与Rapidus合作在日本开发1.4nm NPU,推进AI全栈自主化!

据报道,富士通计划与Rapidus合作,利用后者的先进1.4纳米工艺制造一款专用于服务器及系统中人工智能推理的神经网络处理单元。

伊朗再度袭击亚马逊AWS数据中心!

据知情人士透露,伊朗方面发动的一次袭击,再次对亚马逊位于巴林的云计算业务造成了破坏。

刚刚,铠侠宣布这款存储产品计划停产!

铠侠(Kioxia)已通知客户,即将停止生产其2D NAND和第三代BiCS 3D NAND闪存产品

英特尔以142亿美元回购Fab 34晶圆厂!

美国芯片巨头英特尔(INTC-US)周三股价大幅上涨约10%,主要受其宣布将以142亿美元回购爱尔兰Fab 34晶圆厂剩余49%股权推动。