发布时间:2026-04-7 阅读量:281 来源: 发布人: bebop
我爱方案网4月7日消息,据韩媒最新报道,三星电子已为平泽P5晶圆厂PH1阶段订购超过70台光刻机,其中包括约20台ASML的EUV设备。此举旨在确保该工厂于2027年顺利投运,重点生产1c nm制程DRAM及HBM,以满足英伟达“Rubin”等AI芯片对高带宽存储的迫切需求,进一步巩固其在存储市场的领先地位。
这批关键的光刻设备来自ASML和佳能两大供应商。其中,尤为引人注目的是包含了约20台来自ASML的EUV(极紫外光)曝光系统。EUV技术是实现10纳米以下先进制程的核心,其引入将直接决定芯片的性能与功耗表现。根据规划,平泽P5 PH1工厂将专门用于1c nm制程的DRAM生产,产品线将同时覆盖通用内存和高带宽内存(HBM)。
平泽 P5 PH1 所需的这些光刻机来自 ASML 和佳能,其中约 20 台为 ASML 的 EUV 曝光系统。P5 PH1 将用于 1c nm 制程 DRAM 生产,将同时制造通用内存和 HBM。
三星电子预计将从 2027Q2 开始为平泽 P5 PH1 安装图案化设备,届时该阶段的洁净室施工也将完成,有望在 2027 年内对产能带来有意义的贡献,满足英伟达 "Rubin" 与其它 AI XPU 的需求,纾解当前 DRAM 市场的供应紧张态势。
三星此次大规模采购光刻机,不仅是其巩固存储霸主地位的关键一步,更是应对AI时代存储需求爆发的战略性布局。随着P5工厂的推进,三星在1c nm DRAM和HBM领域的产能将得到极大提升,这无疑将加剧与SK海力士、美光等竞争对手的角逐。
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继今年第一季度DRAM价格已实现翻倍上涨后,近期韩国媒体报道指出,尽管当前存储市场存在杂音,三星仍在本季度再次提价约30%。