三星电子计划5月量产HBM4E样品，可实现 16Gbps 的每 Pin 数据传输速率，整体带宽达 4.0TB/s！

在人工智能（AI）算力需求呈指数级增长的背景下，作为AI芯片“大脑”的高带宽内存（HBM）正成为全球科技巨头争夺的战略高地。据韩媒最新报道，三星电子计划在2026年5月生产首批满足客户性能要求的HBM4E内存样品，为2027-2028年的大规模供应铺路。

三星电子在今年早些时候的 NVIDIA 英伟达 GTC 2026 上公开展示了 HBM4E 内存，可实现 16Gbps 的每 Pin 数据传输速率，整体带宽达 4.0TB/s。不过业内人士认为那时的样品仅是用于展示三星电子技术实力的演示样品。

HBM4E作为HBM4的增强版本，其技术突破主要体现在以下几个方面：

性能跃升：HBM4E的每Pin数据传输速率从HBM4的11.7Gbps提升至16Gbps，整体带宽达4.0TB/s，较HBM4提升约25%。这意味着在搭载8个HBM4E器件的AI加速器中，系统总内存带宽可超过32TB/s，完全满足千亿参数级大模型训练对数据吞吐的需求。

容量扩展：HBM4E采用32Gb DRAM裸片，通过16层垂直堆叠实现单堆栈64GB容量，较HBM4的48GB（16层堆叠）进一步提升。英伟达2027年发布的Rubin Ultra AI GPU将支持12个HBM4E堆栈，单加速器内存容量可达768GB。

工艺优化：HBM4E延续了1c nm DRAM Die和4nm Base Die的工艺组合，但细节有所改进。三星晶圆代工计划在5月中旬前完成HBM4E性能样品Base Die的生产，交付存储器业务进行3D封装。此外，三星正评估在HBM4E的Base Die上采用2nm工艺，以进一步提升逻辑电路性能。

定制化趋势：从HBM4E开始，面向客户定制的HBM芯片将正式出现。三星已为定制化HBM4E设立专门团队，并增聘250名工程师，目标客户涵盖谷歌、Meta和英伟达等科技巨头。定制化HBM允许客户在基础芯片中集成特定逻辑功能，以优化性能、降低延迟和功耗。

与 HBM4 一样，三星电子的 HBM4E 将采用 1c nm DRAM Die 和 4nm Base Die，不过工艺细节将有所改进。三星晶圆代工计划在 5 月中旬之前完成 HBM4E 性能样品 Base Die 的生产，交付存储器业务以进行后续 3D 封装工序。