2kW GaN逆变器方案上新：峰值效率99.4%，TI主控，适用于电机集成式伺服驱动器和机器人应用

方案一：TI 2kW 三相 GaN 逆变器参考设计

方案展示了一种高效的 320VDC 输入三相功率级，它采用六个快速开关 GaN-FET，具有集成驱动器、通过热侧微控制器控制提供保护和温度报告功能，尤其适用于电机集成式伺服驱动器和机器人应用。使用隔离式 Δ-Σ 调制器实现了精确的相电流检测。直流链路电压使用非隔离式小型 Δ-Σ 调制器进行测量，模拟相位电压反馈选项允许验证 InstaSPIN-FOC™ 等高级无传感器设计。

方案优势：

• 在 16kHz PWM 下具有 99.4% 的峰值功率效率，320V 直流链路电压，有助于减小散热器的尺寸

• 具有集成驱动器和保护功能的 600V 30mΩ GaN FET 可提高可靠性并降低系统成本

• 片上温度传感器可实现对芯片温度的精确监测，从而更大限度地扩大安全工作区 (SOA)

• 零反向恢复损耗可减少开关节点振荡和 120ns 的低死区时间，更大限度地减少相电压失真

• 使用 1mΩ 分流器和隔离式 Δ-Σ 调制器通过 ±50A 线性范围实现精密相电流检测

• 通过与 3.3V I/O 连接，可以轻松评估用于具有 C2000™、Sitara™ 或其他微控制器的电机驱动的 TI GaN 技术

方案二：先楫HPM5361IEG1推挽谐振微型逆变器方案

方案采用两级变换结构， 前级为推挽DC-DC变换器，把PV电压转换为直流母线电压，供后级逆变使用。后级 为DC-AC逆变器，将直流电能变换为所需的交流电能，主控芯片为先楫HPM5361IEG1。

该方案解决了逆变器对复杂、高精度控制需求的问题。凭借高性能MCU（480MHz主频），为需要精密算法、快速响应的先进拓扑（如谐振变换）提供了强大的处理能力，优化了电能转换性能。

主要元器件如下：

MCU特点：

1.主频480MHz，288KRAM，1MFlash;

2.16bADC,DAC,ACMP,OPAMP

3.支持各类位置传感器磁感应和旋转变压器包括光电式、磁感应和旋转变压器

4.灵活的编码器输入输出，硬解码，兼容总线型、”模拟类和脉冲型

5.运动控制协处理器

6.PLB可编程逻辑单元

方案三：基于HC32F334的500W光伏微型逆变器方案

方案规格：

•  PV电压范围：25~60V

•  电网电压：200~240V @50Hz

•  最大输出功率：500W

•  开关频率：60kHz~200kHz

•  峰值效率：94.7%

•  入网电流THD：3.2% @Vpv=45V 500W

•  PF：>0.99

方案优势：

•  基于自主知识产权的数字电源控制器方案

•  高性能主控芯片HC32F334

•  交错反激采用谷底开通断续模式，提高系统效率

•  交错反激输出馒头波，减小反激输出母线电容

•  全桥逆变采用工频开关，提高系统效率

•  经典扰动式MPPT环，快速准确找到MPPT点

•  保护功能齐全：输出过流，输入反激过流保护，反激输出电压过压保护等