SK海力士在硅谷组建HBM设计团队，推动AI内存“联合设计”模式

SK海力士近日在美国硅谷组建精英级HBM设计团队，标志着其正加速向“联合设计”模式转型。该团队将直接为美国主要AI芯片客户提供HBM和3D堆叠DRAM的基础设计咨询，从产品开发早期便与客户紧密合作。随着HBM4引入先进逻辑工艺，定制化需求激增，SK海力士正通过前置参与AI芯片设计，以深度协同能力锁定未来订单，重塑HBM行业的竞争格局。

SK海力士近期开始招聘开发人员加入该部门，招聘人员将负责DRAM和HBM电路设计，并在产品开发阶段提升设计质量和良率 —— 该团队负责直接为美国主要客户提供HBM和3D堆叠DRAM芯片基础设计方面的咨询服务，并开发符合客户需求的下一代HBM架构。这是一个超越简单本地技术支持的设计团队，在整个产品开发过程中与客户紧密合作。

为此，SK海力士设定了资质要求，包括DRAM和HBM架构设计、全定制和数字协同设计、电源传输网络（PDN）分析以及逻辑晶圆代工设计方面的经验。此外，具备DRAM 1x纳米和3纳米或更小晶圆代工工艺设计经验者优先考虑。

随着AI加速器的性能和结构日益多样化，每个客户所需的HBM容量、带宽和功耗特性也各不相同。因此，与其分别开发AI芯片和HBM再进行整合，不如从产品设计的早期阶段就对二者进行协同优化，这变得至关重要。虽然现有的HBM中已经实现了客户定制设计，但随着从HBM4开始将先进的逻辑工艺应用于基础芯片，存储器和系统半导体之间的界限正变得越来越模糊。

这也正在改变HBM行业的竞争格局，一旦与特定客户的AI芯片联合开发出HBM，后入者就很难进入这条供应链。因此，与客户共同设计的能力变得至关重要，它是尽早锁定下一代HBM订单的关键手段。一位半导体行业人士表示：“随着HBM技术不断发展，并针对客户定制的AI芯片进行优化，存储器制造商的角色也从简单的供货扩展到联合开发。一家公司能够多早进入下一代产品的开发阶段并进行密切合作，将决定HBM未来的竞争力。”