Vishay推出Gen4.5 650V E系列MOSFET 能效提升65%助力高功率应用

发布时间:2025-04-16 阅读量:657 来源: 综合自网络 发布人: wenwei

【导读】威世科技(NYSE:VSH)近日发布全新SiHK050N65E功率MOSFET器件,该产品属于Gen4.5 650V E系列,专为通信、工业及计算领域的高效能需求研发。相较于前代产品,该MOSFET实现关键技术突破:导通电阻降低48.2%,栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)优化65.4%,显著提升功率转换效率。


4.jpg


这款采用PowerPAK® 10x12封装的新品适用于6kW以上高功率场景,支持200-277VAC宽电压输入,符合开放计算项目ORV3标准。其核心优势包括:


1. 0.048Ω超低导通电阻(10V条件)

2. 78nC栅极电荷实现3.74nC*Ω优值系数

3. 167pF有效输出电容创行业新低

4. 通过100%雪崩测试,强化过压保护能力


在应用层面,SiHK050N65E可满足:


  ●    数据中心:服务器电源钛金认证、边缘计算设备

  ●    工业场景:UPS不间断电源、焊接设备、光伏逆变器

  ●    通信系统:5G基站电源模块

  ●    新能源领域:电动汽车充电桩、电池管理系统


目前该器件已进入量产阶段,支持Kelvin连接设计以增强抗干扰性,符合RoHS环保标准。威世科技同步提供技术样品申请服务,具体供货周期可通过官方渠道查询。此次产品升级将有效助力电源系统架构在PFC电路和DC/DC转换环节实现能效突破,推动高密度电源方案发展。


相关资讯
我们还需要GPU吗?从LineShine登顶看纯CPU超算的四层技术突围

在英伟达GPU与CUDA生态长期主导AI训练与科学仿真的背景下,国产LineShine(灵晟)纯CPU超算以2.198 EFlops持续双精度性能登顶TOP500,印证了“矩阵增强型CPU”正在重构HPC底层硬件标准。 近日,Jack Dongarra、Satoshi Matsuoka、Torsten Hoefler三位HPC权威联合发表《Do We Still Need GPUs? Rethinking AI and Scientific Computing on Matrix-Enhanced CPUs》,系统拆解了无GPU同构超算的四层技术体系:处理器指令集硬件加速、统一HBM高带宽内存架构、全精度混合运算单元、原生高速互联网络。

从“回答问题”到“完成任务”:AI产业正在发生的五个结构性转向

回顾AI今年的发展轨迹,我们能察觉到一种质的变化:AI不再只是被展示、被调用的“展品”,而是拥有了更明确的“行动感”。从代码编写到机器人奔跑,从算力基建到未来接口,行业正集体从“回答问题”走向“完成任务”。 我们试图透过五个数字,捕捉这一轮产业变革中的关键切片。

ROHM车载MOSFET新品:抑制二次击穿,SOA范围扩大5倍

全球知名半导体制造商ROHM近日宣布,面向车载安全功能和保护电路开发出100V耐压MOSFET新品“RS4P063BPHZG”

斩获SAIL最高奖背后:DF1000如何破解国产算力“存不够、改不动”?

2026 WAIC落下帷幕,国内AI算力产业的共识正发生清晰转向:单点参数竞赛逐渐退潮,超节点集群、全产业链自主可控与底层架构原始创新成为核心主线。在此背景下,首次参展的东方算芯凭借“高能效软件定义近存计算芯片DF1000”斩获大会最高荣誉SAIL奖。这座奖杯背后,指向了一条不依赖先进制程与既有生态的突围之路。