罗姆半导体推出新一代SiC MOSFET仿真模型，助力高效电力电子设计

【导读】2025年6月10日，全球领先的半导体制造商罗姆（ROHM，总部位于日本京都）宣布推出全新SPICE仿真模型“ROHM Level 3（L3）”，该模型针对碳化硅（SiC）功率MOSFET优化，显著提升了仿真收敛性和运算速度，助力工程师更高效地完成电力电子系统设计。

用户可从第4代SiC MOSFET相应产品页面的“设计模型”中下载

高精度仿真需求推动模型升级

在电力电子系统中，功率半导体的损耗直接影响整体效率，因此设计阶段的仿真精度至关重要。罗姆此前提供的SiC MOSFET SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”在复现器件特性方面表现优异，但存在仿真收敛性不足、计算时间较长等问题，影响设计效率。

L3模型：兼顾精度与速度

全新“ROHM Level 3（L3）”模型采用简化的数学公式，在保持开关波形精度和计算稳定性的同时，将仿真时间较L1模型缩短约50%。这一改进使得工程师能够更高效地进行瞬态分析，优化系统损耗评估，从而加速产品开发周期。

广泛兼容，助力设计优化

目前，罗姆已在其官网发布适用于第4代SiC MOSFET（共37款机型）的L3模型，用户可通过产品页面的“设计模型”下载。同时，罗姆仍将继续提供L1模型，以满足不同设计需求。此外，公司还发布了详细的白皮书，指导用户快速掌握新模型的使用方法。

未来展望：持续推动电力电子创新

罗姆表示，未来将继续优化仿真技术，助力客户开发更高效率、更高性能的电力电子系统，推动能源转换技术的进步。