X-FAB推出革命性SPAD隔离技术，180nm工艺像素密度提升30%

【导读】全球领先模拟混合信号晶圆代工厂X-FAB于2025年6月宣布，在其成熟的180纳米XH018半导体工艺平台中集成新型25V隔离模块ISOMOS1。该技术突破显著提升了单光子雪崩二极管（SPAD）阵列的集成密度，为激光雷达、3D成像及生物医学设备等应用提供更高性能解决方案。

ISOMOS1模块实现芯片面积缩减25%

相较于前代ISOMOS2隔离方案，新型ISOMOS1模块通过优化晶体管隔离结构布局，在不增加掩模层的前提下将像素密度提升30%。实测数据表明：在典型4×3阵列（10×10μm²光学单元）中，芯片总面积减少约25%，填充因子同步提升30%，有效解决高分辨率SPAD阵列的空间效率瓶颈。

多场景应用拓展深度感知能力

该技术强化了SPAD在直接飞行时间测距（dToF）系统的优势，适用于：

1. 智能终端：智能手机、AR/VR设备的空间建模

2. 工业自动化：协作机器人防撞系统、精密测距

3. 前沿科技：自动驾驶激光雷达、量子通信光探测

4. 生命科学：微型化生物传感器件开发

近红外优化方案提升光子探测效率

X-FAB同步升级了近红外优化型SPAD器件，在10-20μm有效面积范围内实现更高光子探测概率（PDP）。结合ISOMOS1的低噪声特性，可在微弱光信号场景（如深层组织成像）中保持高速响应能力。

技术生态协同加速产业化落地

全新工艺设计套件（PDK）已开放下载，支持客户快速开发下一代SPAD阵列。X-FAB将于2025年6月24日亮相美国Sensors Converge展会（展位#847），现场演示集成该技术的3D传感模组。据光电子技术营销经理Heming Wei透露："此次工艺升级使180nm平台可承载更复杂的光电系统，为紧凑型高性能传感器创造新可能。"