罗姆第4代SiC MOSFET赋能丰田bZ5电动车 中日合资模块实现量产突破

【导读】2025年6月24日，全球半导体巨头罗姆（ROHM）宣布其第四代碳化硅（SiC）MOSFET裸芯片已成功集成至丰田汽车面向中国市场推出的纯电动SUV车型"bZ5"的牵引逆变器系统。该技术突破由罗姆与中国正海集团合资设立的上海海姆希科半导体有限公司（HAIMOSIC）实现规模化量产，标志着中日产业链协作在高端功率模块领域取得实质性进展。

三方联合开发驱动本土化战略

丰田bZ5作为丰田、比亚迪丰田电动车科技（BTET）及一汽丰田三方联合研发的首款跨界纯电车型，由一汽丰田于2025年6月正式投放市场。新车采用"Reboot"设计理念，聚焦Z世代用户群体需求，提供550公里（低配版）至630公里（高配版，CLTC标准）的续航能力，已于2025上海国际车展前夕开启预售。

SiC技术赋能电动化性能跃升

海姆希科半导体作为核心供应商，其量产的功率模块集成罗姆第四代SiC MOSFET芯片，通过降低开关损耗与导通电阻，显著提升逆变器能效转化率。该技术方案为bZ5的整车续航表现与动力性能提供关键支持，印证了碳化硅器件在800V高压平台中的技术优势。

罗姆加速布局下一代技术路线

据官方披露，罗姆正加速推进第五代SiC MOSFET生产线建设，计划于2025年内完成投产准备，并已启动第六代、第七代产品的研发规划。公司将通过强化裸芯片、分立器件及模块化产品的全形态供应体系，持续提升元器件性能与制造良率，推动碳化硅技术在新能源汽车领域的规模化应用。

合资企业构筑产能与技术双壁垒

公开资料显示，上海海姆希科半导体总投资4.5亿元，注册资本2.5亿元，具备年产36万只SiC功率模块的制造能力。该合资模式整合了正海集团的本地化生产优势与罗姆的核心器件技术，为中国新能源汽车市场提供了稳定可控的第三代半导体供应链保障。