发布成功


长鑫科技冲刺A股:LPDDR5量产突破,全球DRAM市场份额加速扩张

发布时间:2025-07-8 阅读量:3088 来源: 我爱方案网 作者: wenwei

【导读】近日,证监会官网披露长鑫科技集团股份有限公司(简称“长鑫科技”)已提交上市辅导备案材料,正式启动A股IPO进程。辅导机构由中金公司和中信建投证券联合担任,标志着国内最大DRAM芯片制造商的资本化路径进入实质性阶段。


1.jpg


依托全资子公司构建技术壁垒 自主创新成果显著


成立于2016年6月的长鑫科技,注册资本高达601.9亿元,总部位于安徽省合肥市。公司核心资产为全资子公司长鑫存储,作为中国唯一实现一体化动态随机存取存储芯片(DRAM)设计、研发与量产的企业,其技术突破持续引领国产替代进程。自2018年研制首款8Gb DDR4芯片后,2019年实现DDR4/LPDDR4X规模化生产,2023年更成功开发国产首颗LPDDR5芯片,目前12GB LPDDR5产品已在小米、传音等头部手机厂商完成验证导入。


市场份额加速扩张 高端产品线覆盖能力提升


Counterpoint最新研报预测,2024年长鑫存储DRAM芯片出货量同比增幅将达50%,全球份额有望从Q1的6%提升至Q4的8%。尤其值得注意的是,公司在DDR5/LPDDR5高端市场的渗透率正快速攀升:其DDR5份额预计从年初不足1%跃升至年末7%,LPDDR5份额更将激增至9%,产品结构升级带动盈利空间持续拓宽。


估值突破1500亿元 产业资本深度赋能


今年3月,长鑫科技完成108亿元战略融资,投资方涵盖兆易创新、长鑫集成、建信投资等产业及金融资本。根据兆易创新公告,本轮投前估值已达1399.82亿元,较2022年增幅近30%;融资后整体估值突破1508亿元,创国内半导体制造领域非上市企业估值新高。当前公司股权结构呈分散化特征,第一大股东合肥清辉集电持股比例仅为21.67%,无实际控制人。


相关资讯
AEC-Q100 Grade 0 认证,纳芯微 NSM2025 电流传感器适配紧凑化新能源车电驱设计

纳芯微发布车规级线性电流传感器 NSM2025,搭载自研 BendingMag™聚磁技术,器件集成集磁片,搭配外部 U 型磁芯使用,符合 AEC-Q100 Grade 0 车规标准。针对新能源汽车电驱系统大电流检测、安装空间紧张的痛点,该产品支持和 PCB、母排灵活组合装配,适用于新能源车电机逆变器、BMS 以及各类过流检测场景。

是德科技推出 20GHz PSG XG7 双通道模拟信号发生器

是德科技推出全新 XG7 系列 PSG 模拟信号发生器,最高频率可达 20 GHz。这款仪器采用 2U 单机箱架构,内部搭载两路相互独立的信号通道,拥有优异低噪声性能与校准输出功率,便于工程师精准完成器件性能评估。紧凑双通道方案无需额外占用机架空间,有效提升测试容量。

是德科技助力加利福尼亚大学伯克利分校推进6G空口测试研究

是德科技助力加利福尼亚大学伯克利分校推进6G空口测试研究

苹果也受不了内存太贵,传iPhone 18 Pro系列10月减单15%

苹果iPhone系列手机10月订单较最初要求减少至15%!

传英伟达将不再向 GeForce 游戏显卡分配 GB202 GPU

英伟达将不再向GeForce RTX 50 系列游戏显卡分配 GB202,该 GPU 的供应将由 RTX PRO Blackwell 专业显卡独占。