NAND Flash第三季价格普涨 512Gb以下芯片领涨15%

【导读】随着全球存储产业链产能调控深化，2025年下半年NAND Flash市场正式进入上行周期。据集邦咨询、TrendForce等机构监测数据显示，第三季度全品类NAND Flash合约价涨幅已突破预期阈值。其中256Gb-512Gb中低密度芯片价格环比上涨15%-18%，而1Tb以上高容量产品受企业级长协订单缓冲，涨幅维持在5%-8%区间。此番价格跃升标志着行业历时两年的下行周期终结，供给侧改革成效显著。

产能收缩成核心推手，原厂策略性调整见效

自2024年Q3起，美光、铠侠西部数据联盟（原SanDisk母公司）等头部厂商启动史上最大规模产能削减。美光日本广岛厂NAND晶圆投片量缩减40%，西部数据四日市工厂产能利用率降至65%，直接导致晶圆级供给缺口扩大。值得注意的是，512Gb以下规格因长期处于价格倒挂状态（成本线约2.3美元/片），成为产能出清首要目标。当前256Gb TLC晶圆现货价跳涨至2.78美元，较年内低点反弹32%，印证供给侧收缩已传导至交易端。

技术迭代与需求韧性构筑涨价多维支撑

除产能调控外，三大结构性因素强化涨价动能：

1. 制程迁移引发产能虹吸：原厂加速向232层以上QLC/PLC技术转进，导致传统96层TLC晶圆月产能减少逾12万片；

2. 泛终端需求刚性显现：中低容量芯片在智能手机（eMMC 5.1）、工业嵌入式系统、车规级存储卡等领域渗透率超75%，Q3季单物联网设备采购量同比增23%；

3. 库存机制差异放大波动：消费级产品现货市场库存周转天数仅45天（企业级SSD约120天），渠道商补库存行为加速价格传导。

产业影响：供应链博弈进入新阶段

尽管涨价改善原厂毛利率（预估NAND业务Q3扭亏），但下游终端厂商面临三重压力：

  ●   成本控制挑战：512GB SSD模组物料成本增加3-5美元，压缩笔记本/OEM厂商利润空间；

  ●   备货策略重构：头部手机品牌将安全库存周期从6周延长至10周；

  ●   供应韧性考验：工控与车规领域启动第二供应商认证，三星、长江存储获新订单份额提升。

行业分析师指出，当前供需紧张态势或延续至2026年Q1。随着铠侠三重县新厂量产延期及QLC良率爬坡放缓，NAND市场正在形成“高密度技术升级+成熟制程紧缺”的双轨发展格局，价格中枢有望持续上移。