三星电子加速1c DRAM技术突破，HBM4战略能否扭转市场格局？

【导读】7月18日，韩国媒体Sedaily报道称，三星电子10nm级第六代（1c）DRAM制程良率已突破50%，并计划在今年下半年导入HBM4量产。1c DRAM制程节点约为11～12nm，相较于当前主流的1a（14nm）和1b（12～13nm）制程，具备更高存储密度、更低功耗以及更薄的芯粒厚度，使其在HBM4多层堆叠中占据优势。

1c DRAM良率突破50%，三星全力冲刺HBM4量产

7月18日，韩国媒体Sedaily报道称，三星电子10nm级第六代（1c）DRAM制程良率已突破50%，并计划在今年下半年导入HBM4量产。1c DRAM制程节点约为11～12nm，相较于当前主流的1a（14nm）和1b（12～13nm）制程，具备更高存储密度、更低功耗以及更薄的芯粒厚度，使其在HBM4多层堆叠中占据优势。

HBM市场竞争激烈，三星亟需技术突围

目前，HBM市场由SK海力士和美光主导。SK海力士凭借1b DRAM制程率先推出HBM4样品，并在HBM3E市场占据领先地位；美光紧随其后，而三星则因HBM3E未能通过英伟达测试，市占率增长受限。为扭转局面，三星自2023年起全力投入1c DRAM研发，并由DRAM开发室长黄相准主导架构优化，以解决早期设计与制造协同不足的问题。

定制化HBM4战略，三星押注逻辑芯片整合

三星将“定制化HBM”作为新战略核心，HBM4允许逻辑芯片（logic die）与DRAM堆叠整合，并采用自研4nm制程优化逻辑芯片性能。这一设计可针对AI、高性能计算等不同应用场景提供高效解决方案，增强市场竞争力。相比之下，SK海力士对1c DRAM的投资较为保守，计划在HBM4E阶段再导入该制程，这为三星提供了技术超车的机会窗口。

技术领先或成关键，三星能否重夺HBM市场话语权？

若三星能持续提升1c DRAM良率并稳定量产HBM4，不仅可缩小与竞争对手的差距，还可能重塑HBM市场格局。随着AI服务器、大模型训练等需求激增，HBM技术迭代加速，三星的提前布局或将在未来1-2年内迎来收获期。