力积电Q2财报透视：结构性亏损持续 3D封装与GaN技术驱动转型

【导读】2025年第二季度，力积电（6770.TW）实现合并营收新台币112.78亿元，环比微增1.5%，但营业利润亏损扩大至10.22亿元。关键财务指标显示，公司毛利率降至-9%，归属母公司净损达33.34亿元，每股亏损0.8元。管理层指出，美元汇率波动及衍生金融资产评价损失是利润恶化的主因，其中汇兑损失影响金额高达15.9亿元。

现金储备与产能动态

截至季度末，公司持有现金储备240亿元，维持稳健流动性。产能利用率小幅回升至75%，12英寸晶圆季度出货量突破40万片创年内新高。2025年资本支出计划维持4.54亿美元不变，资金将重点投向先进封装与化合物半导体领域。

产品线深度调整

  ●   逻辑芯片需求分化 受关税政策及补贴效应消退影响，大中华区显示驱动芯片（DDIC）与图像传感器（CIS）需求疲软，导致逻辑产品投片量季度下滑1%。欧美电源管理芯片（PMIC）则保持稳定增长。

  ●   DRAM代工逆势上扬 因国际大厂退出8G DDR4市场，客户提前备货促使DRAM代工产能趋近满载。该业务平均售价（ASP）呈现逐月上升态势，预计3-4个月后将在财报中体现盈利改善。

  ●   存储市场结构性机会 24纳米SLC NAND Flash正式量产，借势原厂逐步退出传统市场，终端客户库存回补意愿显著增强，新客户设计导入（Design-in）进度加速。

技术平台突破

  ●   先进封装量产爬坡 硅中介层（Interposer）进入量产阶段，CoWoS-S方案开始出货，CoWoS-L进入客户验证。通过整合DRAM前段制程与逻辑后段铜制程，该业务有望替代低毛利传统产品。

  ●   3D集成技术布局 四层晶圆堆叠（WoW）DRAM配合先进逻辑芯片的验证顺利推进，八层堆叠技术同步开发中。董事会已批准中介层扩产计划，目标建立"3D AI Foundry"技术平台。

  ●   化合物半导体突破 8英寸GaN-on-Si平台完成100V技术开发，首批AI服务器电源芯片进入客户送样，第四季启动试产。受同业退出影响，美日客户对650V GaN代工询单量激增，公司正扩充专用设备应对需求。

战略转型路径

尽管短期财务承压，力积电正通过技术组合重构实现业务转型。DRAM代工溢价能力提升、先进封装产能扩张、GaN业务客户群拓展三大引擎，有望在2025年改善获利结构。汇率风险对冲与产品组合优化将成为下阶段扭亏关键。