安森美EliteSiC优势凸显：赋能舍弗勒打造高功率密度主驱逆变器

【导读】2025年7月28日，中国上海 — 全球汽车半导体领先企业安森美（onsemi，纳斯达克代码：ON）今日宣布，与全球驱动技术领域的知名合作伙伴舍弗勒（Schaeffler）的合作关系取得重大进展。在成功完成一项新的设计中标项目后，双方确认将进一步深化战略合作。安森美将作为独家碳化硅（SiC）供应商，为舍弗勒供应其尖端EliteSiC系列MOSFET产品。

该技术将深度整合进舍弗勒新一代主驱逆变器系统，该系统专为某全球顶级汽车制造商的高性能插电式混合动力汽车（PHEV）平台量身打造。此举标志着高性能SiC技术向主流且成本敏感的混动平台渗透的关键一步。

安森美EliteSiC技术凭借其显著降低的导通损耗（更低Rds(on)）、卓越的抗短路能力（SCWT）以及优化的热管理特性脱颖而出。这些特性使舍弗勒能够开发出结构更紧凑、散热效率更高的主驱逆变器方案，最终实现整体系统性能的飞跃。相比市场上同类型SiC解决方案，安森美EliteSiC因拥有行业领先的超低导通电阻，能够提供更高的峰值功率输出和转换效率。其终端价值将直观体现在消费者层面，包括：更高的能量转换效率，转化为更长的纯电续航里程；更高的系统可靠性，保障车辆的稳定运行并降低潜在维护需求；更优化的物理尺寸，为整车设计师提供更大的布局灵活性，加速创新设计落地。

“主驱逆变器是电气化动力传动系统的关键中枢。安森美的EliteSiC先进解决方案，在助力我们精准达成客户设定的严苛能效与性能目标方面，扮演着核心且不可或缺的角色。” 舍弗勒控制业务事业部全球负责人Christopher Breitsameter强调道。

面对日益严苛的环保法规和消费者对效率、性能的持续追求，汽车制造业正加速向更先进的混合动力架构迈进。即便是在以往主要依赖成本敏感型绝缘栅双极晶体管（IGBT）的混合动力平台上，更高性能的SiC技术也正展现出强劲的替代势头。安森美作为全球碳化硅技术的引领者之一，正积极推动这一转型进程，赋能舍弗勒开发出既能满足最高性能指标要求，又能符合严苛尺寸与封装限制的下一代电动汽车核心动力总成。

“作为该项目唯一的碳化硅技术伙伴，此次合作进一步巩固了安森美作为全球领先汽车制造商可信赖创新伙伴的地位。”安森美电源方案事业群总裁Simon Keeton表示，“我们业界领先的EliteSiC半导体解决方案，在能效、热性能及功率密度等关键维度均具有显著优势。这些优势是驱动下一代电动动力总成演进的核心要素，其应用价值不仅限于纯电动汽车（BEV），也正在PHEV领域展现出巨大潜力。”

此次达成的新里程碑，建立在安森美与舍弗勒（在舍弗勒成功并购纬湃科技后，将原有合作关系顺利承袭并拓展）之间长期稳固的合作基础之上。它不仅延续了双方多年的紧密战略协作，更进一步强化了彼此致力于为全球汽车产业提供高效、可靠、创新的电动出行解决方案的坚定承诺。