价格冰火两重天，碳化硅市场格局生变！

发布时间：2025-12-1 阅读量：1042 来源: 发布人: suii

近日，曾被视为增长确定性的碳化硅（SiC）产业，正经历一场剧烈的结构性分化。上游原材料价格持续走高，而中游6英寸衬底却陷入“价格战”泥潭。这种“上热下冷”的态势，正迫使产业链重新寻找价值锚点。与此同时，人工智能（AI）加速器与高性能计算（HPC）等新兴领域的爆发，为SiC技术开辟了超越传统电动汽车的全新赛道，有望成为驱动产业下一阶段增长的关键引擎。

一、市场分化：上游成本承压与中游竞争白热化

当前碳化硅市场最显著的特征，即是产业链不同环节面临的截然不同的压力。

· 上游：原材料供应趋紧，价格持续攀升

制造SiC衬底的核心原料——高纯度的碳化硅粉末（包括黑色和绿色等级）的价格正稳步上涨。这背后是供需关系的失衡：一方面，光伏、电动汽车等下游需求持续旺盛，对原材料消耗巨大；另一方面，高品质SiC粉末的产能扩张速度相对滞后，其生产本身也涉及高温、高压的高能耗工艺，技术壁垒和成本均较高。这种原材料的刚性约束，为整个产业链奠定了“高成本”的基调。

· 中游：衬底制造环节价格压力巨大

与上游形成鲜明对比的是，6英寸SiC衬底和外延片的市场价格正承受巨大压力。随着前期大量资本投入的产能陆续释放，以及国内厂商技术的不断成熟，市场竞争日趋激烈。为了抢占市场份额，尤其是对价格敏感的电动汽车客户，厂商们不得不采取更具侵略性的定价策略。这使得衬底环节的利润空间被显著压缩，一场行业洗牌已在所难免。

二、影响深远：重塑成本结构，挑战传统认知

这种两极分化的格局，对电力电子和汽车领域的设计师与采购经理提出了严峻挑战。

长期以来，行业对SiC的预期是随着技术成熟和规模效应显现，其成本将快速下降，最终实现对硅基IGBT的全面替代。然而，当前原材料端的上涨趋势为这一预期增添了变数。设计师们必须重新评估SiC器件的长期成本结构，不仅要考虑当前的采购价，还需预判上游原材料波动带来的潜在风险。

这将促使系统厂商更倾向于与具备强大供应链管理能力和垂直整合潜力的SiC供应商合作，以保障长期、稳定的材料供应，而非仅仅追逐最低的短期报价。

结语

为了进一步提升性能、降低成本，行业正积极向8英寸衬底过渡。更大尺寸的晶圆能有效降低单位芯片的成本，并提升产出效率，是解决当前成本困境的根本路径之一。化的市场将促使有实力的厂商向上游延伸，通过投资或长协锁定原材料供应，以平抑成本波动。

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