传存储巨头SK海力士推迟HBM4 量产、扩产时间！

我爱方案网12月9日消息，据韩国媒体ZDNet Korea 报导，存储芯片大厂SK海力士已经修改HBM4生产计划，原本计划在2026年2月启动大规模量产、并在明年第二季度扩大产能的安排，如今被推迟至2026年3月至4月之间；而产能爬坡的时间点，也顺延到了2026年第三季度。因此，HBM4 量产所需材料和零组件供应速度也放缓。

据接近SK海力士的业内人士透露，公司原打算在2026年上半年逐步提升HBM4的产能占比，并在第二季度末显著提高整体HBM产品结构中的比重。但最新决策显示，在2026年上半年，上一代产品HBM3E仍将占据主导地位，产能优先级高于HBM4。

那么，是什么促使这家存储大厂临时改变策略？答案指向了其最大客户之一——英伟达。

消息人士透露，SK 海力士与英伟达讨论2026 年HBM 供货时，发现英伟达HBM3E 采购量大幅增加，反映几个关键信息：

1、英伟达Rubin 芯片可能延后发布： HBM4 是为英伟达预计在2026 年推出的新一代AI芯片Rubin 所准备的。业界普遍担忧，Rubin 晶片量产时间可能延期。

2、HBM3E 需求强劲：搭载HBM3E 的Blackwell GPU需求依然强劲。为满足当前市场对HBM3E 的稳健需求，SK 海力士选择优先确保HBM3E 供应。

其实，Rubin芯片延期的背后，不只是市场节奏问题，更涉及技术挑战。据悉，HBM4在设计上实现了重大跃升：其I/O端口数量高达2,048个，是HBM3E的两倍，这意味着数据吞吐能力大幅提升，但也对制造工艺提出更高要求。

更关键的是，HBM4所用的逻辑芯粒（logic die）不再沿用传统DRAM制程，而是转向由台积电代工的先进逻辑工艺。这种跨厂协作打破了SK海力士过去高度垂直整合的模式，增加了协同复杂度。

SK 海力士回应称，虽然无法确认经营策略相关细节，但计划根据市场需求，采取灵活应对措施。