中国台湾拟以“N-2”规则限制台积电海外先进制程布局

中国台湾地区有关部门出于对本地半导体产业领先地位可能因台积电赴美建厂而受到冲击的担忧，正考虑出台新的技术出口管制措施。该措施拟遵循“N-2”原则，即仅允许台积电向海外输出比其在中国台湾本地最先进制程落后至少两代的工艺技术。如果这项政策实施，或将直接减缓台积电在美国的产能建设与技术布局节奏，尤其影响其当前正在积极推进的先进晶圆厂建设项目。

这项新出口政策的核心是“N-2”规则，该规则仅允许在海外部署落后中国台湾领先技术两代的工艺技术。此前，中国台湾当局一直坚持“N-1”规则，允许台积电出口所有落后领先制造工艺至少一代的技术。中国台湾科技委员会成员林法正表示，按照这种划分方式，如果台积电在岛内研发出1.2nm或1.4nm级别的制程工艺，那么只能允许1.6nm级别及以上的工艺产品才能出口到海外。

目前，台积电亚利桑那州Fab 21一期工厂能够生产N4/N5制程节点（4nm/5nm，属于同一代）的芯片。在国内，台积电拥有多座已全面投产的晶圆厂，具备3nm级别制程能力（N3B、N3E、N3P等），并且即将开始大规模生产N2制程节点（2nm）的芯片。从形式上看，台积电的Fab 21一期工厂已经符合“N-2”规则。然而，一旦台积电于2027年在Fab 21二期开始生产3nm工艺芯片，该工厂将不再符合“N-2”规则，因为N3工艺在技术上仅比N2/N2P/A16工艺落后一代。尽管A16（1.6nm）工艺是带有背面供电网络的N2P（增强版2nm）工艺，但如果将A16工艺视为全新一代工艺，那么Fab 21二期将符合新的高科技出口框架。

林法正还强调，台积电的大部分研发人员仍然留在中国台湾，并指出公司的研发布局符合要求。实际上，这种工程师和科学家的集中化确保了未来的工艺开发能够扎根于中国台湾，即使公司在海外建设产能和研发中心。林法正还强调，半导体行业所有合格人员都受到监管，这使得知识产权和硬件的保护范围扩展到人力资本。

结语

这项"N-2"出口规则的出台，标志着中国台湾在半导体产业政策上的重大转向。在全球半导体竞争白热化的背景下，中国台湾当局通过技术代差控制，试图在开放合作与安全防范之间寻找平衡点。林法正强调的"工程师和科学家集中化"策略，实际上是将人才作为核心资产进行保护，确保即使产能外移，技术研发的根仍牢牢扎在岛内。