长鑫存储被控窃取三星HBM关键技术，10人被起诉！

导读：韩国检方称，一名即将离职加入CXMT的前三星电子研究员，手工抄录了数百个专有DRAM制造工艺步骤，详细记录了涵盖设备规格、工序顺序和良率优化等各个环节的工艺配方。检方表示，这些手写笔记后来被用于重建CXMT的生产流程。

我爱方案网12月29日消息，据外媒报道，韩国检察院方面以涉嫌向中国芯片制造商长信存储技术股份有限公司（CXMT）泄露存储芯片制造技术为由，起诉了 10 人。当局称，此案为中国发展高带宽内存（HBM）铺平了道路，而高带宽内存是人工智能计算的关键组件。

首尔中央地方检察厅周二表示，包括一名三星电子前高管和几名工程师在内的五人因违反韩国工业技术保护法而被起诉并拘留，另有五人被起诉但获准保释。

检方称，一名即将离职加入CXMT的三星电子前研究员，手工抄录了数百个专有DRAM制造工艺步骤，详细记录了包括设备规格、工序顺序和良率优化在内的工艺流程。检方表示，这些手写笔记后来被用于重建CXMT的生产流程。

三星电子、SK海力士和CXMT均拒绝置评。

周二的声明并未指明涉事公司，但检察官已分别向路透社确认了这些公司的名称。

检方称，泄露的技术涉及三星耗资1.6万亿韩元研发的10纳米DRAM工艺，并补充说，当时三星是唯一一家将该技术商业化的公司。

检方还表示，CXMT随后对窃取的数据进行了调整和验证，使其适用于自身设备，从而在2023年实现了10纳米DRAM的量产，成为中国企业在该领域的首例。

检方表示，非法使用该技术为CXMT开发HBM奠定了基础，并补充说，三星电子等公司因此遭受的损失估计至少达数万亿韩元。CXMT

计划在上海证券交易所上市，估值达420亿美元。该公司上个月发布了最新一代DRAM（DDR5），直接向其韩国竞争对手发起挑战。