SK海力士投资19万亿韩元在清州建设第七座先进封装工厂！

据韩国媒体报道，SK海力士计划在韩国忠清北道清州市投资约19万亿韩元（约合129亿美元，约合人民币900亿元），新建其第七座半导体后端工厂。这一投资举措既是响应政府推动区域均衡发展的政策导向，也是为提升自身供应链效率与长期竞争力所做出的重要战略布局。

SK海力士近日宣布，决定对先进封装工厂P&T7进行新的投资，以稳定响应全球人工智能（AI）存储器需求，并优化清州工厂的生产。

SK海力士计划在清州科技城工业园区内一幅面积达7万坪的土地上建设P&T7工厂，该地块此前为该公司所收购的原LG 2号工厂旧址，相关原有建筑已拆除完毕。项目计划于2026年4月动工，预计2027年底建成，总投资额为19万亿韩元。投资规模与建设时间系根据半导体市场处于超级周期的行业景气状况最终确定。

P&T7是一家先进封装厂，负责将前端晶圆厂生产的半导体芯片封装成产品，并进行最终的质量验证。P&T7建成后，该公司将拥有三个先进封装中心：位于首都圈京畿道利川市的工厂、位于非首都圈的清州工厂以及位于美国印第安纳州西拉法叶的生产基地。

SK海力士表示：“先进封装工艺非常重要。考虑到与前端流程、物流和运营稳定性的衔接，经过对国内外多个候选地点的考察，考虑到区域均衡发展以及提升半导体产业竞争力的需要，我们最终决定在清州建设P&T7工厂。”

先进封装是指将经过前端工艺处理的晶圆加工成单个芯片，并进行后端加工，最终制成成品的过程。在半导体行业，随着工艺小型化带来的性能提升达到极限，封装工艺的重要性日益凸显，以克服性能瓶颈。特别是对于SK海力士的旗舰产品——高带宽存储器（HBM）而言，确保具备解决散热和变形问题的封装技术至关重要，因为它是通过堆叠多个DRAM芯片制成的。

通过这项投资，SK海力士位于清州的园区已发展成为一个综合性半导体产业集群，涵盖从NAND闪存、HBM和DRAM等半导体生产到先进封装的各个环节。清州园区拥有生产NAND闪存的M11、M12和M15晶圆厂，负责后端加工的P&T3工厂，以及投资20万亿韩元用于打造下一代DRAM产能的M15X工厂。M15X的洁净室已于2025年10月提前启用，目前正在进行设备安装。P&T7封装厂预计将在将前端晶圆厂M15X生产的DRAM商业化为HBM的过程中发挥重要作用。

SK海力士负责人表示，对清州P&T7工厂的投资，旨在着眼于中长期产业基础的巩固与首都圈和区域经济的协同发展，而非仅局限于短期的效率或局部优势考量。与此同时，在推进清州先进封装晶圆厂投资的过程中，公司也在密切关注相关制度环境的完善，以期降低企业投资负担，并提升政府对大规模长期投资的执行支持能力。