月投片量近19万片：SK海力士“两地协同”实现无锡厂1a nm量产

导读：近日，韩国权威科技媒体《ETNews》披露，SK海力士已顺利完成其位于中国江苏无锡的DRAM晶圆厂制程升级，将主力工艺从1z纳米（第三代10纳米级）全面转向1a纳米（第四代10纳米级）。作为SK海力士全球产能布局中的关键一环，无锡工厂贡献了公司约三分之一的DRAM产量。此次技术跃迁不仅彰显了其在先进存储芯片制造领域的持续领先，也折射出在全球半导体供应链复杂背景下，跨国企业如何灵活应对设备出口管制等现实挑战。

我爱方案网1月19日消息，据韩媒 ETNews报道，SK 海力士已完成对中国江苏无锡 DRAM 内存晶圆厂的制程转换工作，主要工艺已从 1z nm（第三代 10 纳米级）升级至 1a nm（第四代 10 纳米级）。

无锡晶圆厂为 SK 海力士贡献了约 1/3 的 DRAM 产能，报道指在该厂当下每月 18~19 万片 12 英寸晶圆的投片量中已有大致九成为 1a nm。

此次无锡工厂完成向1a nm的全面切换，标志着SK海力士在中国的制造能力已同步至其全球最先进水平。据ETNews报道，目前无锡厂投片量中约90%已采用1a nm工艺，显示出极高的技术转化效率。

然而，1a nm工艺的实现高度依赖极紫外光刻（EUV）技术。由于国际出口管制政策限制，相关EUV设备无法直接部署于中国大陆工厂。为此，SK海力士采取了“两地协同”的制造策略：无锡工厂完成前道工序后，晶圆需转运至韩国本土工厂进行关键的EUV光刻步骤，再返回无锡或其它封装测试基地完成后续流程。

资料显示，SK海力士（SK hynix）是韩国三大财阀之一SK集团旗下的核心半导体企业，也是全球第二大DRAM供应商和第三大NAND闪存制造商。自2005年进入中国市场以来，SK海力士持续加大在华投资力度。其中，位于江苏省无锡市的晶圆制造基地是其海外最重要的生产基地之一。该厂自2006年投产以来，历经多次扩产与技术迭代，已成为SK海力士全球DRAM供应链中不可或缺的一环。