发布时间：2026-01-21 阅读量：960 来源: 发布人: suii
根据韩媒ETnews报道，业界消息显示SK海力士已完成其中国无锡工厂的DRAM制程升级，该工厂作为其DRAM核心生产基地，已成功从原有的1z制程转向更先进的1a制程。
无锡工厂的DRAM产能以12英寸晶圆投片量计算，月产能约18万至19万片，其中约90%已采用1a制程。SK海力士曾在2024年1月的业绩说明会上披露无锡工厂的制程升级计划，如今历时约两年宣告完成。
对此，SK海力士不予置评。
据悉，DRAM通常随着制程微缩划分代际。1z属于10纳米级DRAM的第三代，而1a为第四代，制程代际越高，产品性能越优。随着此次升级，SK海力士已能够在无锡工厂生产性能更为先进的DRAM产品。
无锡晶圆厂的制程升级之所以备受关注，在于其是SK海力士的关键生产基地，承担了公司整体DRAM产量的30%至40%。
在美国对华半导体设备出口限制之下，若制程转换受阻，SK海力士的生产乃至整体业务都可能受到影响。此次顺利完成升级，被认为消除了相关不确定性。
报道称，美国出口管制禁止向中国出口极紫外（EUV）光刻设备，这使得过渡过程变得复杂。1a DRAM工艺的某些关键层需要使用EUV光刻技术，但现行法规禁止在无锡工厂安装此类设备。为了应对这些限制，该公司采取了分阶段生产策略。
其中，用于制造精细电路图案的EUV光刻工艺在韩国的工厂完成，而其余工序则在无锡的工厂完成。这种方法虽然增加了物流复杂性和运输成本，但使得1a阶段的过渡得以顺利进行。
结语
通过采用“韩国EUV制程+中国工厂后续工序”的分阶段生产模式，既遵守了当前的设备出口管制，又有效保障了先进制程的持续推进。
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