突发！国内氮化镓龙头企业被美国ITC列为被告！

导读：2026年初，一场围绕半导体核心技术的国际贸易纠纷再度升级。美国国际贸易委员会（ITC）于2月2日宣布，将对一起涉及氮化镓（GaN）功率半导体器件的337调查进行部分复审，焦点集中于一项关键专利——美国专利号9,899,481的权利要求解释、侵权认定及国内产业要件是否成立。此次被列为被告的包括中国领先的宽禁带半导体企业英诺赛科旗下多家子公司及其美国关联公司。

据中国贸易救济信息网，2月2日，美国国际贸易委员会（ITC）发布公告称，对特定半导体器件及其下游产品（Certain Semiconductor Devices and Products Containing the Same，调查编码：337-TA-1414）作出337部分终裁：对本案行政法官于2025年12月2日作出的最终初裁（Final ID）进行部分复审，即关于美国注册专利号9,899,481横向晶体管器件（lateral transistor devices）的权利要求、侵权情况、申请方是否满足美国国内产业的技术和经济要素要求、有效性。当事各方、相关政府机构及其他利害关系人，可就建议救济措施、公共利益和保证金提交意见，书面材料不晚于2026年2月17日提交。

公告显示，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司、英诺赛科（苏州）半导体有限公司、英诺赛科（珠海）科技有限公司、美国Innoscience America, Inc. of Santa Clara, CA为列名被告。

自2023年起，随着全球对高效能、低功耗功率半导体需求激增，以氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体技术成为各国科技竞争的战略高地。在此背景下，英诺赛科作为中国在GaN领域的头部企业，凭借其垂直整合的IDM模式迅速拓展国际市场，尤其在美国市场取得显著进展。

然而，技术突破也引发了知识产权层面的激烈博弈。2024年，一家美国企业向ITC提起337条款调查申请，指控英诺赛科及其关联公司侵犯其持有的美国专利号9,899,481——该专利涉及一种横向结构的晶体管器件设计，广泛应用于快充、数据中心电源及电动汽车等领域。

2025年12月2日，ITC行政法官就此案作出初步终裁（Final Initial Determination, Final ID），认定部分被控产品构成侵权，并初步判断申请人满足“国内产业”要件。但鉴于案件复杂性及潜在行业影响，ITC于2026年2月2日正式决定对该初裁中的关键法律问题启动部分复审（Partial Review）。