DRAM现货价连涨后首现回调，短期波动已反映终端成本压力

美银最新报告指出，在经过持续4至5个月的上涨后，DRAM现货价格上周出现回落，为2025年9月以来首次回调，为当前火热的存储器市场行情带来不确定性。该分析认为，尽管当前并不宜将此视为产业反转或“硬着陆”的早期信号，但短期价格波动已开始反映终端市场对成本变动的敏感反应。

美银指出，随着 DRAM 现货价格持续攀升，多家原始设备制造商（OEM）已反映，存储器成本在低阶个人计算机、智能型手机与平板计算机中的占比，已高于合理水平。一般情况下，DRAM 成本占终端产品售价比例应低于 10%，但以目前现货价格计算，部分产品已难以吸收相关成本。

不过，从合约市场来看，美银认为现货与合约价格仍存在明显落差。第一线 OEM 取得的 DRAM 合约价格，仍大致落在每 GB 10 至 20 美元区间，远低于现货市场水平，显示现货价格后续可能朝合约价格回归。部分模块厂亦指出，若 DDR4 或 DDR5 价格回落至 20 至 30 美元区间，不论容量或规格，市场仍具备明显追加采购动能。

短期杂音之外，美银同步上修对存储器产业的中期展望。根据 1 月 31 日发布的最新模型更新，美银将 2026 年 DRAM 与 NAND 平均销售价格（ASP）预期上调 20% 以上，并小幅提高储存位元出货量成长假设，同时上修资本支出预估，主要反映高频宽存储器（HBM）扩产，以及晶圆厂土木工程与电力等基础建设投资增加。

美银指出，HBM 市场规模持续扩大，一方面来自美国大型科技企业对 AI 与高效能运算的需求持续走强，另一方面则与 三星 HBM4 产品量产进度顺利有关。整体来看，AI 服务器需求仍是支撑存储器价格与产值的重要结构性力量。

在供需结构上，尽管部分 OEM 因成本压力调降终端产品产量，但美银认为，AI 服务器需求稳健成长，使相关影响对整体储存需求相对有限。美银仍看好存储器产业具备多年成长周期，但预期 2026 年第二季至下半年 ASP 将趋于稳定，2027 年可能出现低于 10% 的价格回档。

值得注意的是，NAND 现货市场供给仍偏紧。美银指出，受 2025 年上半年减产的滞后效应影响，NAND 现货供应持续吃紧，本周 1Tb 与 512Gb 规格现货价格再度上涨，涨幅约 5% 至 6%。

从厂商别来看，美银采自下而上的分析方法，依据主要存储器大厂的历史表现与长期规划推估，认为 SK 海力士 在 HBM 领域的主导地位，于 2026 至 2027 年仍可望延续，并成为推升 DRAM 销售额的核心动能；同时假设三星在 HBM 市场（以销售额计）市占率约为 20%。

美银分析指出，虽然近期DRAM现货价格回调释放出市场短期波动信号，但在AI需求持续驱动与HBM产能扩张的支撑下，存储器产业中期基本面依然保持正向。后续市场走势的关键，将取决于价格回调的幅度与终端市场对高成本的消化速度。