发布时间：2026-02-26 阅读量：462 来源: 发布人: bebop
导读：在存储芯片行业持续高速演进的浪潮中，三星电子即将迈出关键一步——全面终止2D NAND闪存的生产。据最新消息，该公司最早将于2026年3月在其韩国华城园区的12号生产线停止2D NAND制造，标志着这一曾主导市场十余年的技术正式退出历史舞台。
自2013年三星率先实现3D NAND（即V-NAND）量产以来，存储芯片行业便开启了从平面结构向立体堆叠结构转型的新纪元。然而，出于对特定利基市场需求的响应，三星并未立即全面淘汰2D NAND产能，而是保留了小规模生产线以满足工业控制、汽车电子等对成本敏感且对容量要求不高的应用场景。
时至2026年，随着3D NAND技术的成熟与成本持续下降，加之终端市场对高密度、高性能存储解决方案的需求激增，维持2D NAND产线已不再具备经济或战略优势。因此，三星决定彻底关闭最后一条2D NAND产线——位于韩国华城园区的12号生产线，为其长达数十年的2D NAND时代画上句号。
事实上，三星电子早在2013年就实现了3D NAND (V-NAND) 的量产，不过三星还是保留了小规模的2D NAND产能以应对特殊利基市场的需求。
随着2D NAND生产的终止，华城12号生产线并不会闲置，而是将转型用于 1c nm DRAM 的后端制造环节，具体包括金属布线（metal interconnection）和表面处理（surface finishing）等关键工艺。1c nm是DRAM制程中的一个先进节点（约13–14nm级别），代表三星在高带宽、低功耗内存领域的最新进展，广泛应用于高端智能手机、AI服务器和HBM（高带宽内存）产品中。
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