显著提升了器件的能效与散热性能，全球首条35微米超薄功率半导体晶圆产线落地上海！

2026年3月5日，上海松江综保区传来重大产业进展：尼西半导体科技（上海）有限公司正式建成并投产全球首条35微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试生产线。

近年来，随着新能源汽车、数据中心、5G基站等高功率密度应用的快速发展，市场对高效、小型化、低热阻功率半导体器件的需求急剧上升。传统100微米厚晶圆已难以满足新一代电子系统对能效和体积的严苛要求。在此背景下，晶圆“超薄化”成为提升功率器件性能的关键路径之一。然而，晶圆厚度一旦低于50微米，其物理脆性剧增，极易在加工过程中碎裂，技术门槛极高。

面对这一行业难题，尼西半导体联合国内设备厂商，历经多年协同攻关，成功攻克多项工艺瓶颈，率先实现35微米超薄晶圆的稳定量产，标志着中国在高端功率半导体制造领域迈出关键一步。

官方介绍称，把一片晶圆磨到只有 35 微米厚，这一厚度突破让功率芯片的导通电阻和热阻大幅降低，显著提升了器件的能效与散热性能，为新能源汽车、5G 基站等高功率密度应用场景提供了核心支撑，为国产器件进入高压平台、快充等市场提供了量产底座。

晶圆薄到 50 微米以下后，脆得像薯片，稍微受力就可能裂开。尼西半导体与设备供应商一起攻关，把加工精度控制在 35±1.5 微米，碎片率压到 0.1% 以内；把研磨产生的应力损伤，通过化学腐蚀消除掉 92%；切割环节也换了思路，不用传统刀片，而是采用定制化激光，热影响区小，切出来的良率达到 98.5%。

晶圆做薄后，载流子跑通芯片的时间缩短 40%，发热量下降，导通损耗减少。热阻比 100 微米的标准品下降 60%，相当于给芯片装上了更好的散热片。封装环节也跟着受益 —— 可以做双面散热，模块热阻再降 30%，功率循环寿命翻了 5 倍。

官方还提到，从键合、研磨、切割到测试环节，产线均配备专用设备，其中测试环节单日产出可达 12 万颗成品。

此外，该产线中的关键设备由公司工程师与国内设备厂商联合研发，通过协同创新实现了核心装备的自主可控，填补了国内相关技术空白。

资料显示，尼西半导体科技（上海）有限公司成立于2007年8月21日，是美国万国半导体（Alpha and Omega Semiconductor，简称AOS）在华设立的核心生产基地，由万国半导体（香港）股份有限公司全资控股。作为一家深耕功率半导体领域多年的外资企业，尼西半导体长期专注于MOSFET、IGBT等功率器件的研发、制造与封测，在全球供应链中占据重要地位。

尽管为外资背景，尼西半导体始终坚持本土化战略，积极推动与中国设备、材料及封装企业的深度合作。此次35微米产线的落地，正是其“技术引进+本地创新”模式的成功体现，也彰显了外资企业在推动中国半导体产业链升级中的积极作用。