强强联合！IBM与泛林集团合作开发亚 1nm 尖端逻辑制程工艺！

导读：在全球半导体产业向更先进制程冲刺的关键阶段，IBM与泛林（Lam Research）于美国当地时间2026年3月10日宣布达成一项为期五年的战略合作，聚焦亚1纳米（sub-1nm）逻辑芯片制造技术的联合开发。此次合作将整合双方在材料科学、先进蚀刻/沉积工艺及高数值孔径极紫外光刻（High NA EUV）等领域的核心能力，旨在为未来AI驱动的高性能、低功耗芯片提供可量产的技术路径。

我爱方案网3月11日消息，IBM 美国当地时间昨日宣布与半导体设备制造商泛林 (Lam Research) 就亚 1nm 尖端逻辑制程的开发达成合作，双方为期 5 年的新协议将重点聚焦新材料、先进蚀刻 / 沉积工艺、High NA EUV 光刻的联合开发。

据了解，两家企业将结合 IBM 奥尔巴尼园区的先进研究能力和泛林的端到端工艺工具和创新技术，团队将构建并验证纳米片和纳米堆叠器件以及背面供电的完整工艺流程。这些能力旨在将 High NA EUV 图案可靠地转移到实际器件层中，实现高良率，并支持持续的微缩化、性能提升以及未来逻辑器件的可行量产路径。

资料显示，IBM作为全球科技领域的先驱，在半导体研发领域拥有深厚积累。其位于纽约州奥尔巴尼的纳米技术研究中心（Albany Nanotech Complex）是全球最先进的半导体研发基地之一，长期与台积电、三星、英特尔等头部企业合作。IBM不仅在基础器件物理研究上领先，还多次率先展示下一代晶体管架构原型，被誉为“半导体技术风向标”。

泛林是全球三大半导体设备制造商之一，专注于薄膜沉积、等离子体蚀刻、清洗等关键前道工艺设备。其技术广泛应用于先进逻辑与存储芯片制造，在3D NAND和FinFET/GAA晶体管量产中扮演核心角色。近年来，泛林积极推动“工艺集成”理念，强调从材料到设备再到系统级优化的全链条创新。

根据新协议，IBM与泛林将在未来五年内重点推进以下方向：

1. 亚1nm逻辑制程联合开发

双方将围绕1nm以下节点，构建完整的工艺流程，包括新型纳米片（nanosheet）和纳米堆叠（nanostack）晶体管结构，并集成背面供电网络（Backside Power Delivery, BPD）。该技术可显著减少互连延迟与功耗，是延续摩尔定律的关键路径。

2. High NA EUV光刻工艺验证

High NA EUV是下一代极紫外光刻技术，数值孔径从当前的0.33提升至0.55，可实现更高分辨率与更小特征尺寸。IBM与泛林将联合开发干式光刻胶（dry resist）及相关蚀刻/沉积工艺，确保High NA EUV图案能高保真、高良率地转移到实际器件层。

3. 新材料与集成工艺创新

面对硅基材料的物理极限，双方将探索新型沟道材料（如锗硅、二维材料）以及高k金属栅堆叠方案，同时优化原子层沉积（ALD）与选择性蚀刻技术，以支持更密集、更可靠的3D器件集成。