为新产品的大规模生产做准备，SK 海力士拟斥资 11.95 万亿韩元采购 EUV 光刻机

导读：在全球半导体产业竞争日益激烈的背景下，韩国存储芯片巨头SK海力士正加快其国际化与技术升级步伐。公司近期宣布两项重大战略举措：一是启动在美国发行存托凭证（ADR）的准备工作，预计融资规模高达458亿至687亿元人民币；二是以约547亿元人民币的价格从ASML韩国子公司收购一台High-NA EUV极紫外光刻机，用于2027年前实现新一代产品的量产。

我爱方案网3月24日消息，SK 海力士今日发布公告，确认该公司将以 11.95 万亿韩元（约合 547.31 亿元人民币）的价格从 ASML 韩国公司收购一款极紫外线光刻机，为新产品的大规模生产做准备，预计将于 2027 年 12 月 31 日前完成采购。

据介绍，此次引进的设备为荷兰 ASML 公司推出的 TWINSCAN EXE:5200B，它是首款量产型 High-NA EUV 设备。与现有的 EUV 设备（NA 0.33）相比，其光学性能（NA 0.55）提升了 40%，这一改进使其能够制作出精密度高达 1.7 倍的电路图案，并将集成度提升 2.9 倍。

对于存储芯片制造商而言，High-NA EUV技术意味着：

更高密度与更低功耗：可在更小面积上集成更多存储单元，满足AI服务器、数据中心对高带宽、低延迟内存的迫切需求。

降低制造成本：通过减少多重曝光步骤，简化工艺流程，从而提升良率并控制单位成本。

抢占技术先机：SK海力士成为全球首批部署High-NA EUV的存储厂商之一，有望在HBM4、GDDR7等下一代产品竞争中建立先发优势。

值得注意的是，作为全球第二大DRAM和NAND闪存供应商，SK海力士近年来持续加大在先进制程和产能扩张上的投入。2023年9月，该公司已率先将全球首台量产型高数值孔径（High-NA）极紫外光刻机——ASML TWINSCAN EXE:5200B 引入其位于韩国利川的M16工厂，并举行了隆重的设备入厂仪式。此举标志着SK海力士在下一代半导体制造技术上迈出关键一步。

如今，随着新一轮资本运作与设备采购计划的公布，SK海力士正进一步巩固其在全球高端存储市场的领先地位，并为未来AI、高性能计算等高增长领域的需求提前布局。