Rapidus加速追赶台积电：2nm性能显著提升，1.4nm研发年内启动

导读：在全球半导体先进制程竞赛日益白热化的背景下，日本新兴芯片制造商 Rapidus 正加速追赶国际巨头。近日，公司首席技术官石丸一成在接受媒体采访时透露，尽管在2nm制程初期遭遇技术瓶颈，但通过快速迭代与美日联合研发机制，Rapidus已显著提升工艺性能，并制定了清晰的路线图——力争在1nm节点上将与台积电的差距缩短至仅半年。

我爱方案网3月31日消息，据《日经 XTECH》报道，日本先进半导体制造商 Rapidus 首席技术官石丸一成近日接受了该媒体的采访，表示目标到 1nm 先进制程节点将落后于台积电的时间缩短到半年左右。

2025年7月，Rapidus高调宣布启动2nm GAA（环绕栅极晶体管）技术的试制工作，意图向全球展示其进军尖端半导体制造的决心。然而，据首席技术官石丸一成坦承，当时晶体管的实际表现“并不令人满意”。原因在于整体推进节奏过于急促，无论是工艺成熟度还是配套设备部署，均未达到理想状态。

石丸一成坦承，该企业在 2025 年 7 月宣布启动 2nm GAA 试制时晶体管的表现并不令人满意，整个过程相对仓促，工艺技术和生产设备都尚未完全准备就绪；不过在去年 9~11 月的快速改进中 Rapidus 的 2nm 性能得到了显著提升。该企业计划从 2026 年底开始生产客户设计的 2nm 测试芯片，为 2027 年的量产打下基础。

而对于衔接 2nm 和 1nm 的 1.4nm 节点，Rapidus 计划 2026 年内开始全面开发，目标 2029 年量产。Rapidus 将延续与 IBM 的深度合作，其一半工程师位于美国纽约州，参与联合研发。

石丸一成明确表示，Rapidus的终极目标是将自身在1nm制程上的量产时间与行业龙头台积电的差距压缩至“约半年左右”。考虑到台积电预计在2028年下半年至2029年初推出1nm试产，这意味着Rapidus有望在2029年中后期实现同步跟进——这在日本半导体产业近二十年来尚属首次。

资料显示，Rapidus成立于2022年，是由日本政府主导、八大本土企业（包括丰田、索尼、NTT、NEC、软银等）联合出资组建的半导体制造新锐，被视为日本重夺全球先进芯片制造话语权的关键载体。公司总部位于北海道，但其研发重心高度国际化——目前约半数工程师常驻美国纽约州，与IBM开展深度技术协作。

这一合作并非偶然。早在2021年，IBM便率先在全球展示2nm芯片原型，其在GAA架构和纳米片技术上的积累，成为Rapidus快速切入先进制程的重要跳板。通过共享实验室、联合团队及知识产权交叉授权，Rapidus得以绕过部分技术壁垒，在短时间内构建起自主2nm及以下节点的研发能力。