三星代工计划2030年前量产1nm芯片，以“fork sheet”新结构突破物理极限！

三星电子晶圆代工业务部门已设定目标，计划在2030年前推出被誉为“梦想半导体”工艺的1nm技术。该技术采用一种全新的计算单元排列方法，每个单元尺寸仅相当于五个原子。此举旨在与台积电展开全面技术竞争，巩固其在下一代半导体市场的领先地位。同时，三星还将在其已有的尖端2nm技术基础上，开发多种工艺版本，以进一步争取重要客户。

据业内人士透露，三星电子晶圆代工业务部门已制定计划，力争在2030年前完成1nm半导体工艺的研发，并将其投入量产。1nm技术被视为一项“梦想创新工艺”，这意味着半导体芯片中负责数据处理的元件宽度理论上可以缩小到1nm。

除了元件小型化之外，1nm工艺还将引入“fork sheet”（叉片）新结构。在2nm工艺之前，元件采用环栅（GAA）技术制造。这项技术通过将电流路径从传统的三边扩展到四边，最大限度地提高了功率效率。

“fork sheet”技术旨在最大限度地缩短GAA元件之间的距离。它通过在GAA元件之间构建电绝缘壁，就像插入叉子一样。这意味着可以在相同的芯片面积内放置更多元件。

三星电子的晶圆代工业务在全球市场排名第二，与市场份额接近70%的台积电相比，差距甚大。众所周知，目前占据市场主导地位的台积电也计划在2030年后将“fork sheet”技术引入1nm工艺。业界认为，三星电子通过制定2030年前实现1nm工艺的路线图，已做好与台积电展开同等技术竞争的准备。

自2019年发布“2030年成为系统半导体第一”愿景以来，三星电子一直致力于在先进工艺方面追赶台积电。2019年，三星电子率先在全球推出7nm极紫外（EUV）光刻工艺；2022年，又率先在全球3nm工艺中采用GAA元件。

业内人士表示：“虽然三星电子在销售额或产量方面超越台积电并非易事，但它在技术方面持续保持竞争力。”他补充道：“2025年三星与特斯拉签订的价值165亿美元（约合25万亿韩元）的2nm人工智能（AI）芯片供应合同，正是其技术实力取得卓越成就的绝佳例证。”

三星电子的晶圆代工业务部门目前正在对其先进的2nm技术进行多项改进。该公司正在开发“SF2T”定制工艺，用于特斯拉2nm AI6芯片的量产。这款芯片将于2027年起在三星泰勒新晶圆代工厂投产。

三星正加速开发新的2nm工艺，包括将于今年用于其系统LSI事业部生产新型智能手机应用处理器（AP）的“SF2P”工艺，以及计划明年投入运营的“SF2P+”工艺。半导体行业人士表示，由于2nm工艺的良率已超过60%，生产效率持续提升，业界对今年实现盈利的预期也日益增强。