发布时间：2026-04-2 阅读量：5095 来源: 发布人: suii
据报道，铠侠（Kioxia）已向客户发出通知，计划逐步停止其2D NAND闪存的生产，这也意味着该公司将终结其平面NAND产品的制造历史。与此同时，铠侠的第三代BiCS 3D NAND闪存也将在本次调整中同步停产。
平面NAND闪存是3D NAND闪存的前身，自20世纪80年代以来一直在生产。
铠侠正在停产一系列传统NAND产品，包括基于32nm（SLC，自2009年开始量产）、24nm（MLC，自2010年开始量产）和15nm（MLC和TLC，自2014年开始量产）工艺节点的平面浮栅NAND，以及早期64层BiCS3 3D NAND（约于2017年发布）。
此次停产涵盖所有主要单元类型——SLC、MLC和TLC并几乎涵盖所有交付形式，包括裸晶圆和封装解决方案，例如BGA、TSOP、eMMC、UFS和SD卡。这表明铠侠将全面淘汰旧技术平台，而非仅淘汰部分SKU。
此次产品停产遵循标准的多年期EOL（产品生命周期结束）计划：最后购买订单将持续接受至2026年9月30日，最终出货将持续至2028年12月31日，距今约三年。此后，这些产品将彻底停产，这也标志着铠侠将退出传统的平面NAND和早期BiCS工艺，转而投身更先进的3D NAND工艺。
与此同时，铠侠停止生产2D NAND也意味着平面NAND存储器时代的落幕。该类存储器最早可追溯至1987年左右，由东芝率先投入生产，并在其继任者铠侠手中走过了约41年的历程，预计于2028年正式停产。目前，2D NAND主要应用于对工艺和成本较为敏感的传统设备领域，包括汽车、消费电子、嵌入式与工业设备，以及部分需长期稳定供货的专用存储产品。
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